多种电路设计提供小尺寸封装以减少PCB使用面积降低设计成本
发布时间:2024/7/3 20:13:36 访问次数:92
WN372-GL兼容IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax/be协议，基于MediaTek Filogic 660 Wi-Fi 7芯片组，支持Wi-Fi 7的160MHz超高带宽、4096QAM调制技术、DFS(Dynamic Frequency Selection，动态频率选择)和MLO(Multi-Link Operation，多链路传输)技术，旨在为各类FWA终端提供高速率、低时延、高可靠的Wi-Fi体验。
MLO技术带来频宽聚合功能，使得WN372-GL支持2.4GHz和5GHz的实时双频 (Dual-band simultaneous，DBS)，双频并发速率峰值可达7.2Gbps。
得益于卓越的天线设计，WN372-GL支持5天线设计，并采用 Multi-RU 和4*4 MU-MIMO，在多流量使用、多设备连接环境下降低信号之间的相互干扰，并提升传输效率和网络连接的稳定性。
OPJ301的封装类型包括DIP-8、SOIC-8、MSOP-8和SOT23-5;OPJ3012为2通道版本，提供DIP-8、SOIC-8和MSOP-8封装。所有版本的工作温度范围为-40°C至+125°C。
功率半导体最重要的特征之一就是其带隙。用宽带隙半导体制成的晶体管能够在材料失效和晶体管损坏之前承受非常强的电场。
氮化铝（AlN）的带隙高达6.20eV，优于镓氮化物的3.40eV和碳化硅(SiC)的3.26eV。
使用硅（Si）、碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等材料作为功率半导体时，在功率半导体通电及反复打开关闭开关时，电会变为热而逃逸，因此会产生电力损失。理论上，氮化铝比硅等的电力损失更小，但难以制作元器件，一直没有被用于实证。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
WN372-GL兼容IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax/be协议，基于MediaTek Filogic 660 Wi-Fi 7芯片组，支持Wi-Fi 7的160MHz超高带宽、4096QAM调制技术、DFS(Dynamic Frequency Selection，动态频率选择)和MLO(Multi-Link Operation，多链路传输)技术，旨在为各类FWA终端提供高速率、低时延、高可靠的Wi-Fi体验。
MLO技术带来频宽聚合功能，使得WN372-GL支持2.4GHz和5GHz的实时双频 (Dual-band simultaneous，DBS)，双频并发速率峰值可达7.2Gbps。
得益于卓越的天线设计，WN372-GL支持5天线设计，并采用 Multi-RU 和4*4 MU-MIMO，在多流量使用、多设备连接环境下降低信号之间的相互干扰，并提升传输效率和网络连接的稳定性。
OPJ301的封装类型包括DIP-8、SOIC-8、MSOP-8和SOT23-5;OPJ3012为2通道版本，提供DIP-8、SOIC-8和MSOP-8封装。所有版本的工作温度范围为-40°C至+125°C。
功率半导体最重要的特征之一就是其带隙。用宽带隙半导体制成的晶体管能够在材料失效和晶体管损坏之前承受非常强的电场。
氮化铝（AlN）的带隙高达6.20eV，优于镓氮化物的3.40eV和碳化硅(SiC)的3.26eV。
使用硅（Si）、碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等材料作为功率半导体时，在功率半导体通电及反复打开关闭开关时，电会变为热而逃逸，因此会产生电力损失。理论上，氮化铝比硅等的电力损失更小，但难以制作元器件，一直没有被用于实证。
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