高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.043Ω，超低栅极电荷下降到65nC。器件的FOM为2.8 Ω*nC，比同类接近的MOSFET竞品器件低3.4%。SiHK045N60E有效输出电容Co(er)为117pF，有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而达到节能效果。

AL1788凭借>0.9的PFC以及较竞争产品低的待机功率，可使用外部MOSFET运作为LED负载提供恒定电压。高功率因数是通过恒定的定时操作来实现，而其准共振模式谷值切换方法可大幅降低切换损耗，并提供优异的EMI效能。LM2594MX-5.0/NOPB

电阻采用0402～1206的标准外形尺寸，具有低至的±0.5%的公差和±25ppm/K的TCR。其他竞争器件在+70℃环境温度下的典型功率等级为250mW，而1206外形尺寸的专业系列电阻在+85℃的功率等级高达400mW，提高了可靠性。

从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平，该参数是600V MOSFET在功率转换应用中的关键指标（FOM）。

升、降压和逆变功能的直流-直流转换器AL8812。这款器件集成了60V/3.6A的NMOS通道以满足直流-直流控制器采用紧凑的双带散热焊盘DFN6040-12封装的基本功能，能够减少MR16 LED灯电路的波形因数。

如果编程器供电不稳，超过了这个范围，则很容易造成芯片的过压损坏，座烧一般都是芯片直接由编程器供电，如果编程器供电不稳，那烧录芯片的良品率将大打折扣，造成电源管理芯片损坏。

全新CoolMOS™P7专为满足小功率SMPS市场的需求而设计，具备出色的性能和易用性，而设计人员可以充分利用其经过改进的外形。该器件采用具有价格竞争力的超结技术，可为客户削减物料成本（BOM）。

SOT-223封装是DPAK封装的经济型替代方案，在价格敏感的市场上已被广泛接受。

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