使用被动缓冲器意味着引起电压振铃部分能量在被动缓冲器中消散
发布时间:2024/5/6 8:57:34 访问次数:132
输出整流器的电压应力可高达2×VIN×NS/NP,其中NP和NS分别是变压器的初级和次级绕组。
当MOSFET作为同步整流器(SR)时,与较高额定电压的MOSFET相比,在相同的成本水平下,您可以期望在较低电压的MOSFET上获得更低的损耗和RDS(on)。然而,使用被动缓冲器意味着引起电压振铃的部分能量将在被动缓冲器中消散,从而导致效率降低。
220V AC伺服解决方案集成了电机控制和EtherCAT,通过时间敏感的工业以太网通信获得高速、高精度电机控制。包括一个物理隔离的电机编码器、电源驱动,和具有高度互连性的系统控制模块。
一些802.11n参考设计使用特殊的功率放大器进行定制,以便将其输出功率设置从典型的+23dBm(200 mW)提高到+30dBm (1,000mW)。
在正常功率设置下的吞吐量、范围和性能,输出功率提高到异常高设置时的影响。
它们仍将是该领域的主要实现方式,领先于其他触摸传感器技术,如红外、光学、电阻和表面声波。
解决方案具备两个千兆位以太网接口,和PMOD及Arduino接口,以建立具有不同外设的系统。同时应用单个可配置电源来支持不同的RZ MPU。
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输出整流器的电压应力可高达2×VIN×NS/NP,其中NP和NS分别是变压器的初级和次级绕组。
当MOSFET作为同步整流器(SR)时,与较高额定电压的MOSFET相比,在相同的成本水平下,您可以期望在较低电压的MOSFET上获得更低的损耗和RDS(on)。然而,使用被动缓冲器意味着引起电压振铃的部分能量将在被动缓冲器中消散,从而导致效率降低。
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一些802.11n参考设计使用特殊的功率放大器进行定制,以便将其输出功率设置从典型的+23dBm(200 mW)提高到+30dBm (1,000mW)。
在正常功率设置下的吞吐量、范围和性能,输出功率提高到异常高设置时的影响。
它们仍将是该领域的主要实现方式,领先于其他触摸传感器技术,如红外、光学、电阻和表面声波。
解决方案具备两个千兆位以太网接口,和PMOD及Arduino接口,以建立具有不同外设的系统。同时应用单个可配置电源来支持不同的RZ MPU。
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