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单片集成逆导二极管实现谐振开关降低器件开关损耗和导通损耗

发布时间:2023/12/26 23:22:23 访问次数:71



全新RC-E系列IGBT采用单片集成逆导二极管实现谐振开关,这有助于降低器件的开关损耗和导通损耗。

更低损耗支持设计师更轻松实现感应加热电器的效率和功率目标,降低功耗,进而降低消费者的使用成本。该系列具备较低的关断损耗(Eoff)、正向压降(VF)、热阻(Rth)和饱和压降(Vce(sat)),在性价比和易用性方面树立了行业新基准。

新推出的RC-E系列秉承RC单管IGBT的质量优势,能够满足软开关应用的所有要求,包括效率和电磁干扰(EMI)。

感应加热电器通常采用谐振拓扑结构,需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出最佳性能。


能够满足这些需求的全新单管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能经专门优化,可满足高性价比电磁炉和电磁电饭煲的需求。

RC-E系列以更具吸引力的价格,提供媲美前代产品的高性能,可降低物料(BOM)成本。RC-E系列器件采用标准的TO-247封装,可直接替换现有设计。

SMF3.3系列产品将卓越的浪涌性能与低反向断态电压和低箝位电压相结合,扩大了低电压应用电路设计师的电路保护选择。 紧凑型、小尺寸的SOD-123FL封装非常适合便携设备和消费电子产品应用。


SMF3.3系列瞬态抑制二极管具备下列主要优势:

集6.8V低箝位电压、3.3V低反向断态电压和200W浪涌性能于一体,适合保护敏感设备免遭瞬态过电压的损害。

通过Amp’ed UP Host BLE拥有源代码,而不是库文件,因此工程师可以快速将其集成进您的产品。


NANO100SD3BN



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感应加热电器通常采用谐振拓扑结构,需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出最佳性能。


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SMF3.3系列瞬态抑制二极管具备下列主要优势:

集6.8V低箝位电压、3.3V低反向断态电压和200W浪涌性能于一体,适合保护敏感设备免遭瞬态过电压的损害。

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