单片集成逆导二极管实现谐振开关降低器件开关损耗和导通损耗
发布时间:2023/12/26 23:22:23 访问次数:71
全新RC-E系列IGBT采用单片集成逆导二极管实现谐振开关,这有助于降低器件的开关损耗和导通损耗。
更低损耗支持设计师更轻松实现感应加热电器的效率和功率目标,降低功耗,进而降低消费者的使用成本。该系列具备较低的关断损耗(Eoff)、正向压降(VF)、热阻(Rth)和饱和压降(Vce(sat)),在性价比和易用性方面树立了行业新基准。
新推出的RC-E系列秉承RC单管IGBT的质量优势,能够满足软开关应用的所有要求,包括效率和电磁干扰(EMI)。
能够满足这些需求的全新单管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能经专门优化,可满足高性价比电磁炉和电磁电饭煲的需求。
RC-E系列以更具吸引力的价格,提供媲美前代产品的高性能,可降低物料(BOM)成本。RC-E系列器件采用标准的TO-247封装,可直接替换现有设计。
SMF3.3系列瞬态抑制二极管具备下列主要优势:
集6.8V低箝位电压、3.3V低反向断态电压和200W浪涌性能于一体,适合保护敏感设备免遭瞬态过电压的损害。
通过Amp’ed UP Host BLE拥有源代码,而不是库文件,因此工程师可以快速将其集成进您的产品。
全新RC-E系列IGBT采用单片集成逆导二极管实现谐振开关,这有助于降低器件的开关损耗和导通损耗。
更低损耗支持设计师更轻松实现感应加热电器的效率和功率目标,降低功耗,进而降低消费者的使用成本。该系列具备较低的关断损耗(Eoff)、正向压降(VF)、热阻(Rth)和饱和压降(Vce(sat)),在性价比和易用性方面树立了行业新基准。
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集6.8V低箝位电压、3.3V低反向断态电压和200W浪涌性能于一体,适合保护敏感设备免遭瞬态过电压的损害。
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