开发出中空结构铜芯的内埋元件基板为解决内埋元件散热问题
发布时间:2023/11/11 21:04:15 访问次数:104
硅芯片上集成无源元件的芯片已上市。这种硅芯片(IPD:IntegratedPassiveDevice)是利用半导体的微细加工技术,在Si表面的SiO2绝缘薄膜上形成电容C、电阻R、电感L。
一个芯片可以集成30个以上无源元件,厚度仅达到50μm甚至更薄,电阻值1Ω~100kΩ,电容5PF~500PF,可以作为埋入元件应用。
近来为解决内埋元件散热问题,又开发出了一种中空结构铜芯的内埋元件基板。这种内埋元件基板是将电子元件(无源元件、有源元件)埋置于所形成的中空结构铜芯内。
STV4100节省多达30个分立器件,紧凑的QFN封装占板面积为5x5mm,而且无需调节。
STV4100可以配合STV0362解调器,组成机顶盒的通用前端模块配合解码器芯片,如STi7105。或者配合解调器/解码器二合一IC,如STi516x系列标清MPEG2解码器,或未来的STi5267标清解码器和STi7167 H.264高清解码器。
采集系统的信号有两组:一组是热流密度值对应的电压值,即测量信号;一组是由监测温度的热电偶输出电压值,即监测信号。
对于两组信号的采集与处理,采用不同方法:测试信号采用专用的放大器和滤波器;监测信号则采用热电偶的专用处理器件。这样采集系统功能齐全,体积小,使用方便。
采集系统要与上位机实现通信,且上位机要控制采集卡的工作状态(开始工作,停止工作,读数等)。所以采集系统与上位机的接口采用RS-232串口。

硅芯片上集成无源元件的芯片已上市。这种硅芯片(IPD:IntegratedPassiveDevice)是利用半导体的微细加工技术,在Si表面的SiO2绝缘薄膜上形成电容C、电阻R、电感L。
一个芯片可以集成30个以上无源元件,厚度仅达到50μm甚至更薄,电阻值1Ω~100kΩ,电容5PF~500PF,可以作为埋入元件应用。
近来为解决内埋元件散热问题,又开发出了一种中空结构铜芯的内埋元件基板。这种内埋元件基板是将电子元件(无源元件、有源元件)埋置于所形成的中空结构铜芯内。
STV4100节省多达30个分立器件,紧凑的QFN封装占板面积为5x5mm,而且无需调节。
STV4100可以配合STV0362解调器,组成机顶盒的通用前端模块配合解码器芯片,如STi7105。或者配合解调器/解码器二合一IC,如STi516x系列标清MPEG2解码器,或未来的STi5267标清解码器和STi7167 H.264高清解码器。
采集系统的信号有两组:一组是热流密度值对应的电压值,即测量信号;一组是由监测温度的热电偶输出电压值,即监测信号。
对于两组信号的采集与处理,采用不同方法:测试信号采用专用的放大器和滤波器;监测信号则采用热电偶的专用处理器件。这样采集系统功能齐全,体积小,使用方便。
采集系统要与上位机实现通信,且上位机要控制采集卡的工作状态(开始工作,停止工作,读数等)。所以采集系统与上位机的接口采用RS-232串口。
