在显示高分辨率影像和关键尺寸控制方面己经取得了进展。随着图形几何尺寸的缩小,散粒噪声开始制造麻烦。

光刻胶在显影以后的坍塌会将其高宽比限制在2.5~3之间,因此,每一代工艺进步后的光刻胶绝对厚度都减薄了。使用浸没式光刻技术,光刻胶材料的显影过程必须保证将光刻胶引发的缺陷率降到最低,这进一步限制了材料的选择。

对EUVL,光刻胶的气体释放会对精密的反射性光学表面形成污染。

当金属功函数大于P型硅功函数而小于N型硅功函数时,金属―半导体接触即可形成理想的欧姆接触。

但是,由于金属一半导体界面的表面态的影响,使得半导体表面感应空间电荷区层形成接触势垒,因此在半导体表面掺杂浓度较低时,很难形成较理想的欧姆接触。

高复合中心欧姆接触。当半导体表面具有较高的复合中心密度时,金属一半导体间的电流传输主要受复合中心控制。

工作及检查后方可起动电动机,电动机起动时应先点动,预检电动机有无异常现象及转向是否正确。

检查转轴扳动电动机的转轴是否自由旋转,不可有松或紧现象。对于滑动轴承,转子的轴向游动量每边为2-3mm。

检查运转方向对不可逆转电动机(如砂轮机),需检查运转方向是否与该电动机运转指示箭头方向相同。

检查轴承检查电动机轴承是否有油,滑动轴承是否达到规定油位。

检查电动机内部检查电动机内部有无杂物或积尘。

其他检查绕线式电动机还应检查滑环上的电刷表面是否全部贴紧滑环,导线有否相碰,电刷提升是否灵活,电刷的压力是否正常。

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