位置:51电子网 » 技术资料 » 测试测量

高温下与铝生成四铝化钨为避免将其淀积在铝膜上关断挡板

发布时间:2023/10/6 15:46:37 访问次数:62

蒸发源铝丝的纯度应在5N以上。衬底温度约150℃。铝丝表面在常温常压环境会有一层致密的氧化层(川20),应预蒸发数秒待氧化层挥发完毕之后,再打开挡板淀积铝膜;

钨丝加热器在熔融铝全部蒸发完的瞬间高温下与铝生成四铝化钨,为避免将其淀积在铝膜上,应在熔融铝全部蒸发完之前的就关断挡板。

加热器钨丝的纯度也对所镀铝膜的纯度带来影响,钨丝中通常含有痕量的钠。淀积1um厚的铝膜,耗源约1g,淀积速率约0.8um/min。

鉴于用电事故的频频发生,这就要求我们应当具各安全用电的基础知识,掌握更全面的“电”与人体的客观规律,对“电”进行合理的相关操作,避免危险事故的发生。

人体电阻的大小,人体内存在的电阻越大,则通过的电流量越少,所以遭受电流的伤害越轻c而人体电阻则不是一个固定的数值,会受到干湿程度等因素的影响。人体允许电流,人体允许电流是指发生触电后触电者能自行摆脱电源、解除触电危害的最大电流。人体允许电流的数值因性别而异。


吸附在衬底表面原子的扩散迁移率是由衬底温度和原子自身能量高低决定的。

从靶面逸出的溅射原子比从源蒸发原子的动能高1~2个数量级,即使在到达衬底之前溅射原子与等离子体碰撞能量有所损失,但相对于在高真空下直线到达衬底的蒸发原子能量仍高得多,特别是磁控溅射原子,也是在高真空下直线到达衬底的,原子能量更高。

溅射薄膜较蒸镀薄膜密度大,针孔少。这也是因为溅射原子能量较高,使得其在衬底扩散迁移能力强,经充分扩散,所淀积的薄膜也就致密了。

射频等离子体增强非平衡磁控溅射方法来淀积铜薄膜。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com


蒸发源铝丝的纯度应在5N以上。衬底温度约150℃。铝丝表面在常温常压环境会有一层致密的氧化层(川20),应预蒸发数秒待氧化层挥发完毕之后,再打开挡板淀积铝膜;

钨丝加热器在熔融铝全部蒸发完的瞬间高温下与铝生成四铝化钨,为避免将其淀积在铝膜上,应在熔融铝全部蒸发完之前的就关断挡板。

加热器钨丝的纯度也对所镀铝膜的纯度带来影响,钨丝中通常含有痕量的钠。淀积1um厚的铝膜,耗源约1g,淀积速率约0.8um/min。

鉴于用电事故的频频发生,这就要求我们应当具各安全用电的基础知识,掌握更全面的“电”与人体的客观规律,对“电”进行合理的相关操作,避免危险事故的发生。

人体电阻的大小,人体内存在的电阻越大,则通过的电流量越少,所以遭受电流的伤害越轻c而人体电阻则不是一个固定的数值,会受到干湿程度等因素的影响。人体允许电流,人体允许电流是指发生触电后触电者能自行摆脱电源、解除触电危害的最大电流。人体允许电流的数值因性别而异。


吸附在衬底表面原子的扩散迁移率是由衬底温度和原子自身能量高低决定的。

从靶面逸出的溅射原子比从源蒸发原子的动能高1~2个数量级,即使在到达衬底之前溅射原子与等离子体碰撞能量有所损失,但相对于在高真空下直线到达衬底的蒸发原子能量仍高得多,特别是磁控溅射原子,也是在高真空下直线到达衬底的,原子能量更高。

溅射薄膜较蒸镀薄膜密度大,针孔少。这也是因为溅射原子能量较高,使得其在衬底扩散迁移能力强,经充分扩散,所淀积的薄膜也就致密了。

射频等离子体增强非平衡磁控溅射方法来淀积铜薄膜。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com


热门点击

 

推荐技术资料

音频变压器DIY
    笔者在本刊今年第六期上着重介绍了“四夹三”音频变压器的... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!