高温下与铝生成四铝化钨为避免将其淀积在铝膜上关断挡板
发布时间:2023/10/6 15:46:37 访问次数:62
蒸发源铝丝的纯度应在5N以上。衬底温度约150℃。铝丝表面在常温常压环境会有一层致密的氧化层(川20),应预蒸发数秒待氧化层挥发完毕之后,再打开挡板淀积铝膜;
钨丝加热器在熔融铝全部蒸发完的瞬间高温下与铝生成四铝化钨,为避免将其淀积在铝膜上,应在熔融铝全部蒸发完之前的就关断挡板。
加热器钨丝的纯度也对所镀铝膜的纯度带来影响,钨丝中通常含有痕量的钠。淀积1um厚的铝膜,耗源约1g,淀积速率约0.8um/min。
鉴于用电事故的频频发生,这就要求我们应当具各安全用电的基础知识,掌握更全面的“电”与人体的客观规律,对“电”进行合理的相关操作,避免危险事故的发生。
人体电阻的大小,人体内存在的电阻越大,则通过的电流量越少,所以遭受电流的伤害越轻c而人体电阻则不是一个固定的数值,会受到干湿程度等因素的影响。人体允许电流,人体允许电流是指发生触电后触电者能自行摆脱电源、解除触电危害的最大电流。人体允许电流的数值因性别而异。
从靶面逸出的溅射原子比从源蒸发原子的动能高1~2个数量级,即使在到达衬底之前溅射原子与等离子体碰撞能量有所损失,但相对于在高真空下直线到达衬底的蒸发原子能量仍高得多,特别是磁控溅射原子,也是在高真空下直线到达衬底的,原子能量更高。
溅射薄膜较蒸镀薄膜密度大,针孔少。这也是因为溅射原子能量较高,使得其在衬底扩散迁移能力强,经充分扩散,所淀积的薄膜也就致密了。
射频等离子体增强非平衡磁控溅射方法来淀积铜薄膜。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
蒸发源铝丝的纯度应在5N以上。衬底温度约150℃。铝丝表面在常温常压环境会有一层致密的氧化层(川20),应预蒸发数秒待氧化层挥发完毕之后,再打开挡板淀积铝膜;
钨丝加热器在熔融铝全部蒸发完的瞬间高温下与铝生成四铝化钨,为避免将其淀积在铝膜上,应在熔融铝全部蒸发完之前的就关断挡板。
加热器钨丝的纯度也对所镀铝膜的纯度带来影响,钨丝中通常含有痕量的钠。淀积1um厚的铝膜,耗源约1g,淀积速率约0.8um/min。
鉴于用电事故的频频发生,这就要求我们应当具各安全用电的基础知识,掌握更全面的“电”与人体的客观规律,对“电”进行合理的相关操作,避免危险事故的发生。
人体电阻的大小,人体内存在的电阻越大,则通过的电流量越少,所以遭受电流的伤害越轻c而人体电阻则不是一个固定的数值,会受到干湿程度等因素的影响。人体允许电流,人体允许电流是指发生触电后触电者能自行摆脱电源、解除触电危害的最大电流。人体允许电流的数值因性别而异。
从靶面逸出的溅射原子比从源蒸发原子的动能高1~2个数量级,即使在到达衬底之前溅射原子与等离子体碰撞能量有所损失,但相对于在高真空下直线到达衬底的蒸发原子能量仍高得多,特别是磁控溅射原子,也是在高真空下直线到达衬底的,原子能量更高。
溅射薄膜较蒸镀薄膜密度大,针孔少。这也是因为溅射原子能量较高,使得其在衬底扩散迁移能力强,经充分扩散,所淀积的薄膜也就致密了。
射频等离子体增强非平衡磁控溅射方法来淀积铜薄膜。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com