三极管放大系数随着温度的变化将发生很大变化。造成这种变化的因素比较复杂，一般都归结于发射效率随温度改变。在-55℃时普通硅晶体管的放大系数比其室温值下降约50%，100℃时上升l倍以上，可见这个参数的变化是很大的。

硅光电二极管长波长产生的光电流随温度升高而增加，不同温度下其绝对灵敏度随波长变化的曲线。红光及红外光产生的光电流随着温度的升高增加待很快。

蒙皮可以用板材、带纵向构件的壁板、蜂窝(或其他)夹芯壁板或整体壁板制成。

正应力矢量方向由外指向截面,代表的是压应力,一般用一σ表示,压应力是构件材料分子之间反抗被压缩而产生的应力。它们的单位都是N/m2(Pa)。

对应正应力的应变称为正应变,用字母ε来表示。

正应变是结构件在拉伸(或压缩)变形中产生的伸长量ΔL(或压缩量)和结构件原来长度L之比:ε=Δ〃L,也就是单位长度的伸长(或压缩)量。

暗电流产生的原因是多种多样的，有阴极和第一倍增极电子的热发射、残余气体的离子发射、极间漏电阻、玻璃闪烁、场致发射等，并且很大程度上决定于阳极和阴极之间的电压。

在低电压时，暗电流由漏电流决定；在电压较高时，主要是热电子发射；电压再大，则导致场致发射和残余气体离子发射，使暗电流急剧增加，甚至可能发生自持放电。

电阻热噪声主要来自负载电阻、运算放大器的反馈电阻和运算放大器输入阻抗。

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