高压的功率MOSFET采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即epi层，用来保证具有足够的击穿电压，低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚，耐压的额定值越大，但是其导通电阻也急剧的增大。导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，这样，就降低的电流的额定值。

为了得到一定的导通电阻值，就必须增大硅片的面积，成本随之增加。

如果类似于IGBT引入少数载流子导电，可以降低导通压降，但是少数载流子的引入会降低工作的开关频率，并产生关断的电流拖尾，从而增加开关损耗。

显示平面式MOSFET情况下构成RDS(on) 的各个分量。对于低压MOSFET，三个分量是相似的。但随着额定电压增加，外延层需要更厚和更轻掺杂，以阻断高压。额定电压每增加一倍，维持相同的RDS(on)所需的面积就增加为原来的五倍以上。

对于额定电压为600V的MOSFET，超过95%的电阻来自外延层。显然，要想显著减小RDS(on)的值，就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。

这些器件在同类产品中提供最小尺寸，使设计人员能够在其设计中继续满足小型化的趋势，同时仍然保持高达1000VDC的工作电压。这一发布对无源及机电产品奖的ArcShield X7R 0603电容器形成补充。

许多汽车系统，尤其是引擎盖下的应用，必须在温度非常高的环境中作业，因而需要使用能够承受严苛环境条件的电子零组件。

Bourns 在高温表面贴片封装自恢复保险丝的制造上，已累积丰富的经验，有助确保作业稳定，亦可让设计符合AEC-Q200 Rev-C测试的要求。

除了Bourns广受好评的高温MF-PSHT、MF-SMHT与MF-RHT产品外，我们最新的MF-NSHT与MF-USHT系列，也进一步为汽车及电子零组件的设计人员提供更多新的过电流保护选择。

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