高能效E系列超结技术10V条件下典型导通电阻仅为0.045Ω
发布时间:2022/12/5 1:18:25 访问次数:114
SiHK045N60EF基于高能效E系列超结技术，10V条件下典型导通电阻仅为0.045Ω，比PowerPAK 8x8封装器件低27%，从而提高了额定功率，支持≥3kW的各种应用，同时器件高度低至2.3mm，增加了功率密度。
此外，MOSFET超低栅极电荷降至70nC。器件的FOM为3.15Ω*nC，比同类中最接近的MOSFET竞品低2.27%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。
日前发布的MOSFET符合 RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值 100% 通过 UIS 测试。
Screaming Eagle添加了可编程MR（中距离）模式，能够将C2M（芯片到模块）和VSR（极短距离）应用的SerDes功耗降低20%。Screaming Eagle 1.6T芯片采用23x23mm封装，是业界最小的线卡芯片尺寸。
基于强大的平台，这些电源的设计都进行过优化，可为需要高质量电源解决方案的医疗应用提供更高的性价比产品。PJMA系列提供12、24、36和48VDC四种输出电压。
使用此体积更小、功率密度更高的CFP15B封装来替代DPAK或SMB/C封装，不仅可保持同等水平的电气性能，还能最多节省60%的电路板空间。
这种耐用的封装设计可延长二极管件的工作时间并提高板级可靠性。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
SiHK045N60EF基于高能效E系列超结技术，10V条件下典型导通电阻仅为0.045Ω，比PowerPAK 8x8封装器件低27%，从而提高了额定功率，支持≥3kW的各种应用，同时器件高度低至2.3mm，增加了功率密度。
此外，MOSFET超低栅极电荷降至70nC。器件的FOM为3.15Ω*nC，比同类中最接近的MOSFET竞品低2.27%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。
日前发布的MOSFET符合 RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值 100% 通过 UIS 测试。
Screaming Eagle添加了可编程MR（中距离）模式，能够将C2M（芯片到模块）和VSR（极短距离）应用的SerDes功耗降低20%。Screaming Eagle 1.6T芯片采用23x23mm封装，是业界最小的线卡芯片尺寸。
基于强大的平台，这些电源的设计都进行过优化，可为需要高质量电源解决方案的医疗应用提供更高的性价比产品。PJMA系列提供12、24、36和48VDC四种输出电压。
使用此体积更小、功率密度更高的CFP15B封装来替代DPAK或SMB/C封装，不仅可保持同等水平的电气性能，还能最多节省60%的电路板空间。
这种耐用的封装设计可延长二极管件的工作时间并提高板级可靠性。
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