8/20us测项下20kA的浪涌电流要求低至10G的多种端口速率
发布时间:2022/12/5 1:14:16 访问次数:86
薄型PowerPAK®10x12封装的新型第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。
Siliconix n沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60%，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
Vishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。
典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。
带宽是数字经济时代的催化剂。我们的终端客户需要不断提高网络速度，以支持数据密集型垂直市场的广泛需求。
Credo凭借其独特的SerDes设计，能够为管理PB级信息的客户（如超大数据中心）提供业界领先的性能、能效和成本优势。随着客户对网络速率需求的急剧增长， 交付1.6 Tbps容量的产品已成为必要。
其优化的引脚间距可确保焊点均匀分布，提高自动光学检测(AOI)性能。此解决方案尤其适用于依赖先进高密度设计的现代化的ADAS、EV、LED照明或ECU应用。
随着SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600V EF系列器件的发布，满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）以及其后的DC/DC转换器模块。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
薄型PowerPAK®10x12封装的新型第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。
Siliconix n沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60%，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
Vishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。
典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。
带宽是数字经济时代的催化剂。我们的终端客户需要不断提高网络速度，以支持数据密集型垂直市场的广泛需求。
Credo凭借其独特的SerDes设计，能够为管理PB级信息的客户（如超大数据中心）提供业界领先的性能、能效和成本优势。随着客户对网络速率需求的急剧增长， 交付1.6 Tbps容量的产品已成为必要。
其优化的引脚间距可确保焊点均匀分布，提高自动光学检测(AOI)性能。此解决方案尤其适用于依赖先进高密度设计的现代化的ADAS、EV、LED照明或ECU应用。
随着SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600V EF系列器件的发布，满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）以及其后的DC/DC转换器模块。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
相关技术资料- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
- 5-10全新SRP5030HMT 屏蔽式功率电感系列
- 5-10SiC 模块、激光雷达、高精度传感器工作原理
- 5-10瑞芯微 RK3588M结构技术参数设计
- 5-10安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片发展趋势
- 5-10高端电源芯片和智能功率器件发展前景分析
- 5-10SerDes 芯片组 NLS9116 和 NLS9246探究
公网安备44030402000607
