LED开路和短路以及可能导致LED故障的输出泄漏情况方法

发布时间:2022/11/17 13:10:37 访问次数:1008

LED显示系统是远程控制的，因此操作员很难检测到任何故障。因为人眼对持续打开或关闭的故障灯很敏感，所以即使是几个灯的故障也会降低观看者的视频体验质量。因此，许多显示器实现了检测LED开路和短路以及可能导致LED故障的输出泄漏情况的方法。

LED开路检测器(LOD)功能可监控LED灯的开路故障。正常情况下，驱动IC的恒流输出端保持在恒流电路所需的余量电压。当恒流电路的LED发生故障并变为开路时，恒流电路将其输出端驱动到几乎为零的电压。LOD功能检测到这些明显的电压变化并生成错误信号。

LED短路检测(LSD)监控LED灯的状况，指示LED和/或其驱动器与其阳极的电源电压短路。当LED在短路模式下失效时，其输出端子从其正常偏置状态恢复到施加到阳极的全电压。LSD功能区分此电压差并生成警报信号。

随着PWM控制LED IC越来越多地控制更大、更高质量的显示器，其中PWM操作周期的长度变得更长，黑带成为一个更严重的问题。

例如，最新的16位PWM控制使用25MHz参考时钟需要2.6ms=216位/25MHz，即381Hz的帧刷新率。这里，总共216个时钟周期的128灰度代码产生5.1us (=128/25MHz)的开启时间，以及2.6ms减去5.1us的关闭时间。摄像机在这2.6毫秒期间捕获处于关闭状态的LED灯。

在上面的示例中，如果将128个ON周期的时钟分为16个周期，每个周期有8个时钟，则产生6kHz (=381Hzx16)的有效FRR。在6kHz时，刷新率足够高，可以避免大多数相机出现黑带。

为了提高硅衬底上GaN的晶体质量，晶能光电不断开发创新的GaN外延技术，如通过采用异质外延的应力积累和释放模型优化生长，利用晶格应力诱导位错反应，在总外延层厚度5微米条件下，可以稳定量产位错密度~1.5E8/c㎡的硅衬底GaN外延片.

通过采用薄buffer技术获得总厚度超过8微米的低翘曲8英寸硅衬底GaN外延层，为制备高性能的硅衬底GaN光电器件提供了关键的大尺寸材料平台。

不断开发具有自主知识产权的硅衬底LED器件技术。主要采用硅垂直结构芯片工艺，通过Ag镜、光刻、刻蚀、ITO、去硅、bonding等特色工艺获得高良率，高光效的垂直器件。

来源：eechina.如涉版权请联系删除。图片供参考

随着PWM控制LED IC越来越多地控制更大、更高质量的显示器，其中PWM操作周期的长度变得更长，黑带成为一个更严重的问题。

通过采用薄buffer技术获得总厚度超过8微米的低翘曲8英寸硅衬底GaN外延层，为制备高性能的硅衬底GaN光电器件提供了关键的大尺寸材料平台。

来源：eechina.如涉版权请联系删除。图片供参考

相关技术资料: 4-25全球首发新一代Robotaxi发展趋势; 4-25AIoT技术应用特点和生态优势; 4-25高性能 ISP（图像信号处理器）应用前景; 4-25单芯片舱驾一体域控制器详解; 4-25解读CPU、GPU和NPU应用及功能特点; 4-25高性能智能大小脑融合解决方案; 4-24大功率老化测试解决方案; 4-24封装基板2.5D/3D大芯片; 4-24前道工艺设备和后道工艺设备技术参数分析; 4-24业界首款高精度固态激光雷达探究; 4-24全新WEWA技术架构应用前景; 4-24解读L2城区辅助驾驶系统—地平线HSD

相关IC型号: ADM803ZAKSZ-REEL7; LF15ABDT; BZX84C20TA; LTC1430AIGN; TC514256AJ-10; REG104FA-A; 1SS369; MIC29151-5.0BT; CA0007AM; LMV7239M5X