窄脉冲现象产生的主要原因是由于IGBT或FWD刚开始开通时，不会立即充满载流子，当在载流子扩散时关断IGBT或二极管芯片，与载流子完全充满后关断相比，di/dt可能会增加。

相应地在换流杂散电感下会产生更高的IGBT关断过电压，也可能会引起二极管反向恢复电流突变，进而引起snap-off现象。但该现象与IGBT和FWD芯片技术、器件电压和电流都紧密相关。

先要从经典的双脉冲示意图出发，IGBT门极驱动电压、电流和电压的开关逻辑，从IGBT的驱动逻辑看，可以分为窄脉冲关断时间toff，实际是对应二极管FWD的正向导通时间ton，其对反向恢复峰值电流、恢复速度都有很大影响,反向恢复最大峰值功率不能超过FWD SOA的限制.

可容易地通过方式配置转换器以获得一个高压负输出电压轨。该转换器通过增设一个电容器和一个二极管实现了开关电压的充分利用，以产生一个负输出。一个耦合电容器C5在停机期间增添了输入至输出断接功能，这与CUK转换器是相似的。

一个使用LT8331的CUK转换器，而反相器在采用12V输入时的效率曲线。

IGBT的SCSOA与前面RBSOA有一点不同，通常没有提供曲线，但是，会在其Datasheet中提供类似图7的短路电流ISC数据，可以看到，在给定的门极驱动电压VGE、BUS电压VCC，150℃结温下Tvj，IGBT模块FP50R12N2T7可以承受短路电流190A，只要能够在8us内关断IGBT，都可以保证IGBT不会损坏。

SCSOA也可以在实验室内通过双脉冲测试进行验证，短路属于极端工况，借助双脉冲测试，客户可以根据Datasheet提供的数据以及双脉冲测试的结果，评估和优化驱动电路、保护电路的设计，以及功率回路杂散电感的影响。

短路期间，IGBT快速进入线性工作区，温升急剧上升，必须在8us内快速关断IGBT，否则，IGBT就可能失效。

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