电流限制和上电所驱动外部开关的功率消耗限制进行设置
发布时间:2022/11/15 0:30:20 访问次数:439
外部N-MOSFET中的电流限制和上电期间所驱动外部开关的功率消耗限制可进行设置,从而确保其在安全工作区间(SOA)内运行。此外,输入欠压锁定和过压保护触发和恢复的滞回,以及电源接入延迟时间和故障检测时间均可进行设置。
在启动过程中,限流和限功率模式会同时运行,直到系统在设定的启动限制时间内成功启动;若未成功启动,会不限次数自动尝试重启。
电路的特性
用于防止抛负载浪涌的齐纳二极管
由半导体陶瓷制成
TVS保护通信总线
TVS以低钳位电压降低浪涌电流
它们与波峰焊和现代回流工艺兼容。
表面贴装封装为设计人员节省了空间,而不是更大的塑料外壳组件。

在工业、汽车和仪器仪表应用中,因操作不当、存在电气噪声的操作环境,甚至雷击造成的大瞬态电压可能会形成巨大压力,导致通信端口和基础电子设备受损。对此,ADI推出了信号和电源隔离式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收发器,能够承受其中许多瞬态电压,并保护敏感的电子设备。
根据IEC标准和瞬态电压大小,瞬态电压可分为静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌。
ADM3055E/ADM3057E收发器CAN FD端口上IEC 61000-4-5浪涌保护的解决方案。根据所需浪涌保护级别、共模范围要求和可用PCB面积,确定了设计选项的特性。组件测试使用ADM3055E/ADM3057E进行,其他器件(ADM3050E、ADM3056E和ADM3058E)将共用一个收发器芯片。

来源:eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考
外部N-MOSFET中的电流限制和上电期间所驱动外部开关的功率消耗限制可进行设置,从而确保其在安全工作区间(SOA)内运行。此外,输入欠压锁定和过压保护触发和恢复的滞回,以及电源接入延迟时间和故障检测时间均可进行设置。
在启动过程中,限流和限功率模式会同时运行,直到系统在设定的启动限制时间内成功启动;若未成功启动,会不限次数自动尝试重启。
电路的特性
用于防止抛负载浪涌的齐纳二极管
由半导体陶瓷制成
TVS保护通信总线
TVS以低钳位电压降低浪涌电流
它们与波峰焊和现代回流工艺兼容。
表面贴装封装为设计人员节省了空间,而不是更大的塑料外壳组件。

在工业、汽车和仪器仪表应用中,因操作不当、存在电气噪声的操作环境,甚至雷击造成的大瞬态电压可能会形成巨大压力,导致通信端口和基础电子设备受损。对此,ADI推出了信号和电源隔离式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收发器,能够承受其中许多瞬态电压,并保护敏感的电子设备。
根据IEC标准和瞬态电压大小,瞬态电压可分为静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌。
ADM3055E/ADM3057E收发器CAN FD端口上IEC 61000-4-5浪涌保护的解决方案。根据所需浪涌保护级别、共模范围要求和可用PCB面积,确定了设计选项的特性。组件测试使用ADM3055E/ADM3057E进行,其他器件(ADM3050E、ADM3056E和ADM3058E)将共用一个收发器芯片。

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