集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍
发布时间:2022/11/8 12:32:18 访问次数:89
增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。
此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
在输出级的设计上,SRK2001驱动的同步整流,有助于进一步提升电源转换效率。
除此之外,本方案采用陶瓷散热设计,可大大降低重量,从而达到美观、便携的作用。并且得益于这些器件出色的性能,本方案不仅能够缩短电子设备充电时间,还能够全面提升产品安全性,增强客户的使用体验。
Swissbit 将继续致力于以具有竞争力的价格提供质量极高的存储卡,同时确保长期可用性。
现在,Swissbit SD存储卡产品的NAND闪存,这将进一步提高产品的长期可用性。除了基于3D NAND的全新产品系列外,Swissbit还将继续提供配备铠侠闪存芯片的S-50和S-56系列存储卡。
虽然两个系列的性能规格和可靠性几乎相同,但S-50/S-56系列可以提供最低4GB的容量。

核心技术优势:
采用成熟的PFC+LLC集成架构,节省产品设计周期;
整机用了两颗氮化镓管,效率可达95%或以上;
国内首款采用陶瓷散热方案的电源,可大大降低整机重量与提升安全性,因为陶瓷本身是绝缘的,不需要额外的绝缘处理;
体积小,重量轻,功率密度达1.6W/cm3或以上。
方案规格:
输入参数:100~240V AC,3.15A;
输出参数:5V、9V、12V、15V、20V DC,最大20V6A 120W;
输出端口:2C1A。
来源:eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考
增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。
此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
在输出级的设计上,SRK2001驱动的同步整流,有助于进一步提升电源转换效率。
除此之外,本方案采用陶瓷散热设计,可大大降低重量,从而达到美观、便携的作用。并且得益于这些器件出色的性能,本方案不仅能够缩短电子设备充电时间,还能够全面提升产品安全性,增强客户的使用体验。
Swissbit 将继续致力于以具有竞争力的价格提供质量极高的存储卡,同时确保长期可用性。
现在,Swissbit SD存储卡产品的NAND闪存,这将进一步提高产品的长期可用性。除了基于3D NAND的全新产品系列外,Swissbit还将继续提供配备铠侠闪存芯片的S-50和S-56系列存储卡。
虽然两个系列的性能规格和可靠性几乎相同,但S-50/S-56系列可以提供最低4GB的容量。

核心技术优势:
采用成熟的PFC+LLC集成架构,节省产品设计周期;
整机用了两颗氮化镓管,效率可达95%或以上;
国内首款采用陶瓷散热方案的电源,可大大降低整机重量与提升安全性,因为陶瓷本身是绝缘的,不需要额外的绝缘处理;
体积小,重量轻,功率密度达1.6W/cm3或以上。
方案规格:
输入参数:100~240V AC,3.15A;
输出参数:5V、9V、12V、15V、20V DC,最大20V6A 120W;
输出端口:2C1A。
来源:eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考