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3D pSLC模式S-58系列适合需要大量写入小数据块或持续高工作负载应用

发布时间:2024/6/26 8:47:15 访问次数:59

存储卡符合SD-6.1标准,同时支持嵌入式系统常用的普通SPI接口模式和UHS-I 口模式。它们达到了UHS速度等级U3、速度等级C10、应用等级A2以及视频速度等级V30。

S-55的容量范围为64GB至512GB,microSD版本S-55u有64GB至256GB可供选择。

当然,Swissbit也会继续提供3D pSLC模式的S-58系列,该系列特别适合需要大量写入小数据块或持续高工作负载的应用。

S-58的容量为16GB到128GB,S-58u的容量为16GB至64GB,除此之外,pSLC版本还能提供最高10倍的使用寿命和最高2倍的速度。LM2594MX-5.0/NOPB

EPC9174参考设计板是一个1.2kW、48V输入、12V输出的LLC转换器。它采用EPC2071作为初级侧全桥器件,在22.9mmx58.4mmx10mm的小尺寸内,实现1MHz的开关频率和1.2kW的功率(功率密度为1472W/in3)。550W时的峰值效率为97.3%,12V时的满载效率为96.3%,可提供100A输出功率。

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。

VL53L5CX多区ToF测距传感器和最新的配套软件将使市面上的应用手势检测变得更为简单和经济实惠。传感器和软件的配合可以实时计算手部的X/Y/Z轴坐标,从而实现手部跟踪,同时识别点击、滑动、高度控制等手势。

主流的PFC+LLC架构,主控IC是ST的STNRG011,这颗IC整合了双端LLC谐振半桥控制器、多模式功率因数校正(PFC)控制器和运行同类最佳控制算法的数字内核。

片上集成的数字外设利用ST的SMED(状态机事件驱动)技术和专有模拟硬件,提升了控制回路的处理性能,可实现出色的动态响应。此外,STNRG011芯片上还配备非易失性存储器,用于存储专用参数。

为了提升充电效率,本方案还采用了MASTERGAN1双氮化镓集成管,其内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V,导阻150mΩ的高压GaN开关管,特别适合半桥拓扑和有源钳位。


http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司


存储卡符合SD-6.1标准,同时支持嵌入式系统常用的普通SPI接口模式和UHS-I 口模式。它们达到了UHS速度等级U3、速度等级C10、应用等级A2以及视频速度等级V30。

S-55的容量范围为64GB至512GB,microSD版本S-55u有64GB至256GB可供选择。

当然,Swissbit也会继续提供3D pSLC模式的S-58系列,该系列特别适合需要大量写入小数据块或持续高工作负载的应用。

S-58的容量为16GB到128GB,S-58u的容量为16GB至64GB,除此之外,pSLC版本还能提供最高10倍的使用寿命和最高2倍的速度。LM2594MX-5.0/NOPB

EPC9174参考设计板是一个1.2kW、48V输入、12V输出的LLC转换器。它采用EPC2071作为初级侧全桥器件,在22.9mmx58.4mmx10mm的小尺寸内,实现1MHz的开关频率和1.2kW的功率(功率密度为1472W/in3)。550W时的峰值效率为97.3%,12V时的满载效率为96.3%,可提供100A输出功率。

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主流的PFC+LLC架构,主控IC是ST的STNRG011,这颗IC整合了双端LLC谐振半桥控制器、多模式功率因数校正(PFC)控制器和运行同类最佳控制算法的数字内核。

片上集成的数字外设利用ST的SMED(状态机事件驱动)技术和专有模拟硬件,提升了控制回路的处理性能,可实现出色的动态响应。此外,STNRG011芯片上还配备非易失性存储器,用于存储专用参数。

为了提升充电效率,本方案还采用了MASTERGAN1双氮化镓集成管,其内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V,导阻150mΩ的高压GaN开关管,特别适合半桥拓扑和有源钳位。


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