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KA431并联电压调整器和CNY17F-3光耦相同从而节省器件体积

发布时间:2022/9/28 0:09:03 访问次数:257

光隔离误差放大器FOD2741。它在8引脚的白色双列直插封装内集成了光耦,精密基准源和误差放大器,使它的功能和Fairchild的KA431并联电压调整器和CNY17F-3光耦相同,从而节省了器件体积。

它有5000V RMS隔离电压,因此很适合用在离线功率转换器中。

FOD2741提供功率转换电路中初级和次级相互绝缘的电压反馈,用作控制和调整。它可以和Fairchild的功率开关(FPS)和其它功率管理器件一起使用,简化开关电源和DC/DC转换器的设计。

FOD2741有UL,CSA,VDE和BSI安全认证,8引脚的白色双列封装可以是过孔或表面安装的。

NCP1200系列提供业界最灵活的方法和外部的MOSFET组合和匹配,以同样的电源设计和占位面积获得5W到多于100W的功率。NCP1203和NCP1222A能使用户自行对峰值电流进行编程,电流输出能力达到250mA,而"跳跃周期"模式在轻负载时有极好的效率。

高压应用的DC/DC转换器SIP90,输出电压从低于10V到90V,输出电流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中,它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。

转换器的输入电压从2.7V 到6.7V,可编程电压从0V到4.5V。它的波纹电压小于2 mVp-p,线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。

晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本,封装尺寸为3x2x0.9mm,比通常的SM8封装小88%。

该器件的封装进一步降低了热阻,使PC板面积上电流处理能力增加了三倍。

双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间,1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat)在47和104mW,额定电压有12,20和40V三种。MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间,导通电阻RDS(on)在180和900mW之间, 漏源击穿电压BVDSS在0和40V之间。


光隔离误差放大器FOD2741。它在8引脚的白色双列直插封装内集成了光耦,精密基准源和误差放大器,使它的功能和Fairchild的KA431并联电压调整器和CNY17F-3光耦相同,从而节省了器件体积。

它有5000V RMS隔离电压,因此很适合用在离线功率转换器中。

FOD2741提供功率转换电路中初级和次级相互绝缘的电压反馈,用作控制和调整。它可以和Fairchild的功率开关(FPS)和其它功率管理器件一起使用,简化开关电源和DC/DC转换器的设计。

FOD2741有UL,CSA,VDE和BSI安全认证,8引脚的白色双列封装可以是过孔或表面安装的。

NCP1200系列提供业界最灵活的方法和外部的MOSFET组合和匹配,以同样的电源设计和占位面积获得5W到多于100W的功率。NCP1203和NCP1222A能使用户自行对峰值电流进行编程,电流输出能力达到250mA,而"跳跃周期"模式在轻负载时有极好的效率。

高压应用的DC/DC转换器SIP90,输出电压从低于10V到90V,输出电流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中,它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。

转换器的输入电压从2.7V 到6.7V,可编程电压从0V到4.5V。它的波纹电压小于2 mVp-p,线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。

晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本,封装尺寸为3x2x0.9mm,比通常的SM8封装小88%。

该器件的封装进一步降低了热阻,使PC板面积上电流处理能力增加了三倍。

双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间,1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat)在47和104mW,额定电压有12,20和40V三种。MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间,导通电阻RDS(on)在180和900mW之间, 漏源击穿电压BVDSS在0和40V之间。


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