内核电压DC/DC转换器中单相低的栅源和栅漏充电比
发布时间:2022/9/14 22:48:29 访问次数:134
该器件的开态延迟时间为18ns,低栅极电荷典型值为12nC，这就是说，比能处理10到25A输出电流的同类产品低27%.因此当用在高端和低端时，Si4860DY的导通电阻和栅极电荷的乘积要比同类产出产品低大约22%.
低栅源栅漏电荷比0.57，0.7和0.8以及1到1.4欧姆低栅极电阻，防止了高断和低端的MOSFET在导通时的击穿，引起输入电压对地的短路.这种防击穿保护使设计者采用不昂贵的MOSFET驱动器以减少元件的成本.
一种坚固的两行16个字，阳光下可读的玻璃上芯片液晶显示器(LCD)，其型号为DV3002。
能够经受住-20°C到70°C的极端温度和高湿度，DV3002适用在用电池工作的设备，它的重量和环境都是严格要求的，例如过程控制设备，移动数据采集设备和手提仪表。LCD的平均故障间隔时间(MTBF)超过10万小时，在5V时消耗50uA的电流。
显示器的高速8位接口允许直接连接到多种微处理器。也可用4位并行接口。DV3002不需要RAM读/写操作的外部时钟。DV3002的标准接口用14路1.0mm间距柔性电缆连接。
L5994是用在多输出大电流电源应用，其有效的转换是从电池或4.75V和25V之间的总线电压来进行的。目标应用包括膝上型电脑，笔记本电脑，嵌入式微处理器，存储器，外围设备和互联网设备。L5994适合用在需要移动DC电源的情况下。两个同步整流PWM控制器一般用作2.5V和1.8V输出，而线性调试器驱动器用在PCMCIA中。
目标在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.
Si4364DY和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
该器件的开态延迟时间为18ns,低栅极电荷典型值为12nC，这就是说，比能处理10到25A输出电流的同类产品低27%.因此当用在高端和低端时，Si4860DY的导通电阻和栅极电荷的乘积要比同类产出产品低大约22%.
低栅源栅漏电荷比0.57，0.7和0.8以及1到1.4欧姆低栅极电阻，防止了高断和低端的MOSFET在导通时的击穿，引起输入电压对地的短路.这种防击穿保护使设计者采用不昂贵的MOSFET驱动器以减少元件的成本.
一种坚固的两行16个字，阳光下可读的玻璃上芯片液晶显示器(LCD)，其型号为DV3002。
能够经受住-20°C到70°C的极端温度和高湿度，DV3002适用在用电池工作的设备，它的重量和环境都是严格要求的，例如过程控制设备，移动数据采集设备和手提仪表。LCD的平均故障间隔时间(MTBF)超过10万小时，在5V时消耗50uA的电流。
显示器的高速8位接口允许直接连接到多种微处理器。也可用4位并行接口。DV3002不需要RAM读/写操作的外部时钟。DV3002的标准接口用14路1.0mm间距柔性电缆连接。
L5994是用在多输出大电流电源应用，其有效的转换是从电池或4.75V和25V之间的总线电压来进行的。目标应用包括膝上型电脑，笔记本电脑，嵌入式微处理器，存储器，外围设备和互联网设备。L5994适合用在需要移动DC电源的情况下。两个同步整流PWM控制器一般用作2.5V和1.8V输出，而线性调试器驱动器用在PCMCIA中。
目标在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.
Si4364DY和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
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