DDR3解决方案基于高级50nm工艺和开发的2Gb存储器件

发布时间:2022/6/27 20:27:56 访问次数:414

两款Samsung 2-gigabit (Gb) DDR3解决方案通过了Intel新款Core i7 (Nehalem) PC平台的验证。通过Intel验证程序的2Gb DDR3器件是DDR3 SDRAM芯片(x8)以及用于台式PC机的4-gigabyte (GB) 1066Mbps DDR3模块。

全新经验证的DDR3解决方案基于高级50nm工艺和开发的2Gb存储器件。通过采用50nm级工艺，Samsung的2Gb DDR3模块相对于1Gb DDR3能够消耗少很多功耗，1.333Mbps时最大少40%。

Samsung与Intel密切的合作已经推动其最高级的DRAM技术和产品工艺的开发，从而能够显著改善系统系统，并满足快速入市的需求。

L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：

500W峰值输出功率（在1.4GHz,100s脉冲宽度，25%占空比时）

17dB增益

50%漏极效率

更佳耐用度

能够承受高达5dB的过驱动能力

更佳脉冲顶降(低于0.2dB)

供电电压50V

无毒封装、符合ROHS标准

人体体内电阻一般为定值,约0.5kΩ,而皮肤电阻则是组成人体电阻的最大部分,通常为1~2kΩ,但是会随着皮肤薄厚、皮肤潮湿、皮肤出汗、皮肤损伤、皮肤表层导电粉尘、皮肤与带电体接触面、皮肤与带电体接触压力等因素的变化,皮肤电阻也会发上相应变化。

另外,触电者本身的身体状况也是影响伤势的原因之一。

状态和错误标记可通过主机接口读取。现有的总线监控接口有助于器件管理，一旦出现故障，总线发送器可以完全切断通信。