ESD冲击可高达30kV或更高，上升时间快，并且可以熔化硅和导线，电流高达30A。ESD具有如此大的能量，可能导致元件完全失效。

对于边带使用 (SBU) 和配置通道 (CC) 线路，请考虑SP1006单向TVS二极管。该元件可以在μDFN-2封装中安全地吸收30kV ESD冲击。SP1006是一款非常可靠的TVS二极管，符合AEC-Q101标准，适用于USB通信的汽车应用。 

Vbus线路要求TVS二极管能够承受比信号线保护器件更高的功率水平。 

SPHV系列200 W TVS二极管可保护容量为100W的Vbus线路。 SPHV二极管可承受30kV的ESD冲击，并通过AEC-Q101认证，采用表面贴装封装。 

对于扩展功率范围接口，一个示例解决方案是SMBJ二极管。 它具有比SPHV二极管更高的600W峰值额定功率，并且可以吸收高达30kV的ESD冲击。 与其它推荐用于USB端口的TVS二极管一样，SMBJ二极管是表面贴装元件。

每个不同的TVS二极管都具有保护一组特定线路免受ESD影响所必需的功能，并且不会干扰线路的功能。将这些二极管结合到电路中可以防止即时故障、软故障和潜在的过早失效。

最坏情况为短路。短路时，MOSFET导通电流非常高 (理论上无限高)，频率也会降低。当发生短路时，谐 振回路中Lm被旁路.LLC谐振变换器可以简化为由Cr和Lr组成的谐振电路，因为Cr只与Lr发生谐振。

省略了t1-t2时段，短路时次级二极管在CCM模式下连续导通。短路状态下工作模式几乎与过载状态下一样，但是短路状态更糟糕，因为流经开关体二极管的反向恢复 电流更大。

短路时功率MOSFET的开关波形。短路的波形与过载下的波形类似，但是其电流的等级更高，MOSFET结温度更高，更容易失效。