80C51微处理器产品，配备达64KB的Flash程序记忆体、2KB随机记忆体及I2C串行接口，可支援各类先进的计算程序，这些代号为P89C66x的新产品进一步巩固飞利浦半导体在80C51领域的领导地位。

P89C66x在一些以高级电脑语言例如C或C++编写而成的应用程序、或一些需要使用Flash记忆体、大量随机记忆体及I2C串行接口的设计最能发挥所长。

P89C66x有一个内置下载器，可支援Flash记忆体的串行ISP及IAP，让Flash程序记忆体在程序操作期间也能进行组装。

5种基本变形(a)拉伸变形;(b)压缩变形;(c)剪切变形;(d)扭转变形;(e)弯曲变形

内力当构件在载荷作用下发生变形时,构件材料分子之间会产生反抗变形,力图使其恢复原形的力,这就是内力。内与引起内力的外应变形的5种形压力、剪力、弯矩和扭矩

应力和应变,在载荷作用下,维构做应立⒍如果内力是均匀分布的,则应力等于截面上的内力除以截面面积。应力拉应力、压应力和剪应力。

正应力和正应变,正应力是拉应力和压应力的统称。正应力是垂直于即的法向方向,用符号σ表示,正应力矢量方向由截面向外指.

JTAG发生时无需DSP介入，因此，电路板组装时可以安装一个空白器件，然后，在组装线终端完成编程，而无需成本昂贵的插座和预编程闪存以及逻辑器件。

DSM2180F3为受尺寸、EMI水平和功耗限制的产品提供了一个最理想的系统级解决方案，DSM提供的闪存和逻辑均是“零功率”，使它们能够在存储访问或逻辑输入变化之间自动切换，产生的活动和待机电流十分小。

对于3.3V器件,待机电流最低可达25μA,因此,DSM2180F3是电池供电产品的最理想器件。