照明配电箱的安装方式有墙上明装和嵌人墙内暗装两种方式,室内照明配电箱安装一般是嵌入墙内暗装的方式,照明配电箱嵌人墙内暗装方式控制面板.

照明配电箱一般装在电源进口处,并尽量靠近负荷中心,它的安装方法是先把支架埋在墙上或用胀管固定在墙上,然后将配电箱同定在支架上,再进行穿线和接线。

嵌入墙内暗装式通常是按设计指定的位置,在土建砌砖时先把嵌架埋在墙内,使箱面稍稍凸出墙面,然后进行正面结构安装和穿线,最后接线、编号标注控制区域和安装面板等。

MTP存储器本质上和eFlash相似，都是基于浮栅来存储电荷。但不同于eFlash单独开发工艺平台，MTP存储器属于寄生器件，其一般不能改变既定的平台工艺步骤。而不同工艺平台制备的MTP存储器的浮栅周围环境相差很大.

比如隧穿氧化层(通常是3.3V器件或5V器件的栅氧层),侧墙氧化层/氮化物层、刻蚀阻止层等结构都存在差异,进而对MTP存储器数据保持能力,即非易失性，产生很大的影响。

MTP存储器在不同工艺平台上数据保持能力的差异为产品寿命和可靠性的计算带来了困扰。因此，需要一种有理论支持并通用可行的测试方法来快速标定MTP存储器在不同工艺平台上的数据保持能力。

静态设计时,先要分析偏差的组成和大小,即分析造成偏差的原因,以合理确定系统各环节的参数。

偏差分析调压系统的总偏差△U一般由三部分组成,即静态偏差△uσ、温度偏差△LIT和使用偏差△Uc,可表示为:△U=△T+△UT+△Ulc      

复位相应的Option Bytes来实现，掉电也不会消失，但是不同的是，设置完之后，芯片自动会擦除整颗芯片，这样你也就不能通过解除读保护进而读取整颗芯片代码了。

代码运行在RAM中，既然读保护保护的是FLASH区，RAM并不受影响，那么我们就可以将我们解除的代码加载到RAM中运行，如此就可以通过MDK解除芯片的读保护了。