嵌入式矢量处理器核将反馈电阻和补偿元件芯片放置
发布时间:2021/12/25 18:03:57 访问次数:822
多模能力的软件调制解调平台的TD-LTE(LTE,长期演进)端到端应用互通性测试。天碁科技的平台采用先进的嵌入式矢量处理器核,最高可以实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率,并支持TD-LTE/TD-HSPA/EDGE以及LTE FDD制式下的多种通信模式。
中国移动根据TD-SCDMA网络的发展进程,已经提出了对于TD-LTE的标准需求。天碁科技针对中国移动要求的TD-LTE标准进行了设计研发,并与TD-LTE网络供应商合作,在TD-LTE网络上首次成功实现业界领先的基于可支持多模式通信的软件调制解调平台的端对端视频流功能演示。
工艺 130纳米CMOS
密度 128Mb
单元尺寸 0.252 μm2
读/写速率(带宽) 1.6 GB/s(DDR2接口)
周期时间 83纳秒
存取时间 43纳秒
电源 1.8V
保持开关电流路径较短,并尽量减少由输入电容、高边 MOSFET 和肖特基二极管形成的环路面积。
SW引脚和输入电源地之间的肖特基二极管连接尽可能短而宽。
确保所有反馈连接都是短而直接的。 将反馈电阻和补偿元件尽可能靠近芯片放置。
使SW远离敏感的模拟区域,例如 FB。
将IN、SW、特别是GND分别连接到大面积的覆铜区域,为芯片散热,提高散热性能和长期可靠性。
(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
多模能力的软件调制解调平台的TD-LTE(LTE,长期演进)端到端应用互通性测试。天碁科技的平台采用先进的嵌入式矢量处理器核,最高可以实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率,并支持TD-LTE/TD-HSPA/EDGE以及LTE FDD制式下的多种通信模式。
中国移动根据TD-SCDMA网络的发展进程,已经提出了对于TD-LTE的标准需求。天碁科技针对中国移动要求的TD-LTE标准进行了设计研发,并与TD-LTE网络供应商合作,在TD-LTE网络上首次成功实现业界领先的基于可支持多模式通信的软件调制解调平台的端对端视频流功能演示。
工艺 130纳米CMOS
密度 128Mb
单元尺寸 0.252 μm2
读/写速率(带宽) 1.6 GB/s(DDR2接口)
周期时间 83纳秒
存取时间 43纳秒
电源 1.8V
保持开关电流路径较短,并尽量减少由输入电容、高边 MOSFET 和肖特基二极管形成的环路面积。
SW引脚和输入电源地之间的肖特基二极管连接尽可能短而宽。
确保所有反馈连接都是短而直接的。 将反馈电阻和补偿元件尽可能靠近芯片放置。
使SW远离敏感的模拟区域,例如 FB。
将IN、SW、特别是GND分别连接到大面积的覆铜区域,为芯片散热,提高散热性能和长期可靠性。
(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)