对流散热器单管芯片在膨胀匹配基板产生高达1.5w额定功率
发布时间:2021/12/7 18:57:48 访问次数:880
新一代基于InP的1400nm-2000 nm半导体发光二极管,具有更高的功率以及更好的效率。通过直接使用这些波长吸收Ho或Er固体激光,从而开启了大量手术与医学美容应用。
在1.9微米,Pearl光纤耦合模块从单个400微米0.22NA光纤,提供高达20w输出功率,具有>10%的功率转换效率。单管芯片在膨胀匹配基板产生高达1.5w额定功率。
在1.4与1.5微米,Pearl模块从单个400微米0.22NA光纤提供高达40w,具有>30%的功率转换效率。单管芯片在膨胀匹配基板产生高达3.5w额定功率。
到达每片FPGA的全局时钟网络
6个DDR2 SODIMM存储器插槽
宽范围子卡(ARM内核块、A/D-D/A、PCIe等)
USB和闪存配置
基于7nm技术SoC 的 Mini-ITX主板,具有出色的计算和图形显示性能。
对于这些高性能应用面临的散热方面的挑战,研华整合多种散热技术,带来高效散热解决方案——研华双鳍片全方位对流散热器(Quadro Flow Cooling System),简称QFCS,专为优化热而设计,具有高散热效能、结构紧凑、低噪音和已于组装等特点,是嵌入式市场的理想散热解决方案。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
新一代基于InP的1400nm-2000 nm半导体发光二极管,具有更高的功率以及更好的效率。通过直接使用这些波长吸收Ho或Er固体激光,从而开启了大量手术与医学美容应用。
在1.9微米,Pearl光纤耦合模块从单个400微米0.22NA光纤,提供高达20w输出功率,具有>10%的功率转换效率。单管芯片在膨胀匹配基板产生高达1.5w额定功率。
在1.4与1.5微米,Pearl模块从单个400微米0.22NA光纤提供高达40w,具有>30%的功率转换效率。单管芯片在膨胀匹配基板产生高达3.5w额定功率。
到达每片FPGA的全局时钟网络
6个DDR2 SODIMM存储器插槽
宽范围子卡(ARM内核块、A/D-D/A、PCIe等)
USB和闪存配置
基于7nm技术SoC 的 Mini-ITX主板,具有出色的计算和图形显示性能。
对于这些高性能应用面临的散热方面的挑战,研华整合多种散热技术,带来高效散热解决方案——研华双鳍片全方位对流散热器(Quadro Flow Cooling System),简称QFCS,专为优化热而设计,具有高散热效能、结构紧凑、低噪音和已于组装等特点,是嵌入式市场的理想散热解决方案。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)