快速恢复（FRFETò）版本适用于软开关拓扑结构，如移相全桥（PSFB）和LLC。它们的优势是快速体二极管，并提供降低的Qrr和Trr。

强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)为125 mW，采用TO-220封装，而NTMT061N60S5F 的RDS(on)为61 mW，采用Power88封装.损耗最低的器件是NTHL019N60S5F,RDS(on)仅19mW,采用TO-247封装。

在不同的负载和温度条件下,Saft LS33600电池在17Ah额定容量基础上的容量降额情况。

待机模式的电流消耗为 5μA 至 100μA。主要耗电项为计量、微控制器和保护电路的静态电流 (IQ)。虽然其绝对值非常小，但通常是影响仪表寿命的主要因素。处于待机模式时，连接的任一直流/直流转换器的 IQ 均应处于纳安级，电源缓冲器的泄漏值应处于低水平，从而提高效率。

中间模式的电流消耗为2mA至10mA.通常情况下,这类负载来自于 RX 阶段的模拟前端。

工作模式下的电流消耗最高。在工作模式下，负载通常来自于 TX 阶段的驱动阀和模拟前端，需要 20mA 至几百毫安的电流。直接从 LiSOCl2 电池中获取电流会使电池容量严重降额。

Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产工艺制造，包含各种并行、串行I2C和SPI存储器。

先进的制造工艺能够提高产品的技术规格及扩展其功能集。Ramtron已计划在2008年年底前推出其它V系列产品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列产品均具有可选器件特性，包括独特的序列号和系统重置。

在工作温度为 +20°C 时,200mA 负载电流会导致容量降额 42%。因此，绝不可直接使用电池对负载供电.只有使用低泄漏的电源缓冲器,才可以将峰值电流限制在 10mA 以下。

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