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高瞬态电流尖峰Rambus在DDR5内存接口产品保持最新力证

发布时间:2021/11/18 23:13:34 访问次数:218

在自由空气对流冷却环境下,AEA1000F能够在长达3000ms的时间内提供330%峰值功率,能够出色的响应最新的工业和医疗设备市场需求。

现在,工业应用需要高效且能够在各种环境中以较高的安全性工作的电源。AEA1000F已通过EN62477-1三类过电压(OVC Ⅲ)认证,这意味着由该产品供电的最终设备可以直接连到主配电板,而不用增加额外的隔离。

这简化了系统设计人员的工作难度,降低了成本,保证了效率。

第二代寄存时钟驱动器(RCD)将DDR5数据速率提高17%,同时降低延时和功耗.

RCD是DDR5服务器DIMM的关键赋能部件,提供了下一代数据中心所需的带宽和容量。实现5600MT/s数据传输速率是Rambus在DDR5内存接口产品领域保持领先的最新力证。

与DDR4相比,DDR5内存在DIMM中内置更多智能功能,可将数据传输速率提高一倍,容量提升至四倍,同时还降低了功耗、提高了内存效率。Rambus内存接口芯片是下一代服务器实现全新性能水平的关键。

IHSR-2525CZ-51典型直流内阻低至0.38 mΩ,电感值为0.056 μH,在同类技术中具有更高电流密度,3 mm高度使成品设计得以更加轻薄。

这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。

电感器封装采用100 %无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力,可无饱和处理高瞬态电流尖峰。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在自由空气对流冷却环境下,AEA1000F能够在长达3000ms的时间内提供330%峰值功率,能够出色的响应最新的工业和医疗设备市场需求。

现在,工业应用需要高效且能够在各种环境中以较高的安全性工作的电源。AEA1000F已通过EN62477-1三类过电压(OVC Ⅲ)认证,这意味着由该产品供电的最终设备可以直接连到主配电板,而不用增加额外的隔离。

这简化了系统设计人员的工作难度,降低了成本,保证了效率。

第二代寄存时钟驱动器(RCD)将DDR5数据速率提高17%,同时降低延时和功耗.

RCD是DDR5服务器DIMM的关键赋能部件,提供了下一代数据中心所需的带宽和容量。实现5600MT/s数据传输速率是Rambus在DDR5内存接口产品领域保持领先的最新力证。

与DDR4相比,DDR5内存在DIMM中内置更多智能功能,可将数据传输速率提高一倍,容量提升至四倍,同时还降低了功耗、提高了内存效率。Rambus内存接口芯片是下一代服务器实现全新性能水平的关键。

IHSR-2525CZ-51典型直流内阻低至0.38 mΩ,电感值为0.056 μH,在同类技术中具有更高电流密度,3 mm高度使成品设计得以更加轻薄。

这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。

电感器封装采用100 %无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力,可无饱和处理高瞬态电流尖峰。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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