准谐振离线反激式开关IC100%占空比和宽输入电压范围
发布时间:2021/11/13 8:40:16 访问次数:177
DER-937使用了Power Integrations最近推出的两款IC。
InnoSwitch3-PD INN3870C准谐振离线反激式开关IC集成了USB Type C和USB PD控制器、高压PowiGaN氮化镓开关、同步整流和FluxLink™反馈电路。HiperPFS-4 PFS7628C PFC 控制器IC内部集成Qspeed™低反向恢复电荷(Qrr)升压二极管，可在整个负载范围内提供超过98%的效率。
GeodeSP4SC31开发平台支持Windows CE.NET, Windows XP, 和 Linux,立体声音频输出，单声道麦克风输入和两个PCI插槽。
制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:54 ARds On-漏源导通电阻:37 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3.5 VQg-栅极电荷:136 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:245 W通道模式:Enhancement封装:Tube商标:Infineon Technologies配置:Single下降时间:6 ns产品类型:MOSFET上升时间:30 ns工厂包装数量:30子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel典型关闭延迟时间:196 ns典型接通延迟时间:53 ns零件号别名:IPW60R037CSFD SP001927820单位重量:6 g
A6986I是汽车级器件,特别设计用于隔离降压拓扑.器件具有100%占空比和宽输入电压范围,满足汽车系统的冷启动和负载突降指标要求.
A6986I的初级输出电压能精确地调整,而隔离的次级输出则由给定的变压器比来得出.
器件不需要光耦合器,初级沉电流能力高达1.9A(即使在软起动时)允许适当的能量传输到次级边,使得跟踪到软起动的次级输出.器件满足AEC-Q100 Grade 1规范,输入电压从4V到38V,8 μA IQ-SHTDWN,可调整fSW和同步.器件的RDS(on) HS = 180 mΩ, RDS(on) LS = 150 mΩ,并具有热关断特性.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
DER-937使用了Power Integrations最近推出的两款IC。
InnoSwitch3-PD INN3870C准谐振离线反激式开关IC集成了USB Type C和USB PD控制器、高压PowiGaN氮化镓开关、同步整流和FluxLink™反馈电路。HiperPFS-4 PFS7628C PFC 控制器IC内部集成Qspeed™低反向恢复电荷(Qrr)升压二极管，可在整个负载范围内提供超过98%的效率。
GeodeSP4SC31开发平台支持Windows CE.NET, Windows XP, 和 Linux,立体声音频输出，单声道麦克风输入和两个PCI插槽。
制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:54 ARds On-漏源导通电阻:37 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3.5 VQg-栅极电荷:136 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:245 W通道模式:Enhancement封装:Tube商标:Infineon Technologies配置:Single下降时间:6 ns产品类型:MOSFET上升时间:30 ns工厂包装数量:30子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel典型关闭延迟时间:196 ns典型接通延迟时间:53 ns零件号别名:IPW60R037CSFD SP001927820单位重量:6 g
A6986I是汽车级器件,特别设计用于隔离降压拓扑.器件具有100%占空比和宽输入电压范围,满足汽车系统的冷启动和负载突降指标要求.
A6986I的初级输出电压能精确地调整,而隔离的次级输出则由给定的变压器比来得出.
器件不需要光耦合器,初级沉电流能力高达1.9A(即使在软起动时)允许适当的能量传输到次级边,使得跟踪到软起动的次级输出.器件满足AEC-Q100 Grade 1规范,输入电压从4V到38V,8 μA IQ-SHTDWN,可调整fSW和同步.器件的RDS(on) HS = 180 mΩ, RDS(on) LS = 150 mΩ,并具有热关断特性.
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