NFAM5065L4B是全集成逆变器功率模块,包括了单独的高边栅极驱动器,LVIC,六个IGBT和一个温度传感器(TVS),适用脑于驱动永磁同步(PMSM)马达,无刷DC(BLDC)马达和交流异步马达.

IGBT可配置成三相桥式,具有单独发射极连接以用于选择控制算法有最大灵活性低位腿.

功率级具有欠压锁住保护(UVP),而所提供的内部的升压二极管用于高边栅极升压驱动.器件具有三相650V 50A IGBT模块和单独的驱动器.器件具有UL1557 认证(文件No.339285).器件是无铅和RoHS兼容的.主要用在工业驱动,工业泵,工业风扇和工业自动化.

制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VSONP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:121 ARds On-漏源导通电阻:4.3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 VQg-栅极电荷:27 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:120 W通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments配置:Single下降时间:2.6 ns正向跨导 - 最小值:100 S高度:1 mm长度:6 mm产品类型:MOSFET上升时间:8.8 ns系列:CSD18503Q5A工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel典型关闭延迟时间:15 ns典型接通延迟时间:4.5 ns宽度:4.9 mm单位重量:240 mg

全新USB PD充电器参考设计，它性能优异且元件数极少。

这款USB PD充电器设计的效率水平超过93%，这已包括输入级、PFC级和反激级。它的空载性能也非常出色，在230VAC下所需的空载输入功率低于40mW。

该设计的BOM元件数约为传统设计的一半，可节省空间并缩短设计时间。对于批量生产超薄、超紧凑充电器的原装及非原装厂商来说，可大大简化其元件采购。

DER-937报告包括电源规格、电路原理图、PCB布局、物料清单、详细的磁芯规格以及性能数据。