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驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET和砖式电源

发布时间:2021/9/21 6:24:42 访问次数:135

四个集成的GaN功率模块评估套件,这些套件使评估高功率应用的GaN功率器件变得容易。这些功率级设计可用于各种应用,包括企业级1U电源(最高5 kW),高功率密度无桥图腾柱PFC,光伏逆变器,能量存储系统,电机驱动器和汽车DC / DC转换器和车载充电器。

这些产品包括牵引逆变器,工业电动机,储能系统,光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。

四个评估套件包括:100V驱动器GaN DC / DC功率级模块;以及650 V,150 A半桥智能电源模块(IPM); 650 V,150 A全桥模块和驱动器以及650 V,300 A三相模块和驱动器。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LFPAK56-5 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:100 A Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V Qg-栅极电荷:73.1 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:238 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Nexperia 配置:Single 下降时间:31 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:57 ns 典型接通延迟时间:15 ns 零件号别名:934067436115 单位重量:91.420 mg

意法半导体的 800V H系列可控硅 现已量产,采用D2PAK、TO-220AB和TO-220AB绝缘封装。8H全系产品覆盖8A至30A的额定电流范围。

从安装到移除的每一个步骤中,简化了P7-M2 固态硬盘助推/助拔装置的操作。

免工具操作是 PCB 板配件安装的首要工作,而 SSD 助推/助拔装置的简单、直观的安装过程则完全满足了这一要求。P7-M2产品令安装和移除变得简单方便。

RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET,提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

四个集成的GaN功率模块评估套件,这些套件使评估高功率应用的GaN功率器件变得容易。这些功率级设计可用于各种应用,包括企业级1U电源(最高5 kW),高功率密度无桥图腾柱PFC,光伏逆变器,能量存储系统,电机驱动器和汽车DC / DC转换器和车载充电器。

这些产品包括牵引逆变器,工业电动机,储能系统,光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。

四个评估套件包括:100V驱动器GaN DC / DC功率级模块;以及650 V,150 A半桥智能电源模块(IPM); 650 V,150 A全桥模块和驱动器以及650 V,300 A三相模块和驱动器。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LFPAK56-5 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:100 A Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V Qg-栅极电荷:73.1 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:238 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Nexperia 配置:Single 下降时间:31 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:57 ns 典型接通延迟时间:15 ns 零件号别名:934067436115 单位重量:91.420 mg

意法半导体的 800V H系列可控硅 现已量产,采用D2PAK、TO-220AB和TO-220AB绝缘封装。8H全系产品覆盖8A至30A的额定电流范围。

从安装到移除的每一个步骤中,简化了P7-M2 固态硬盘助推/助拔装置的操作。

免工具操作是 PCB 板配件安装的首要工作,而 SSD 助推/助拔装置的简单、直观的安装过程则完全满足了这一要求。P7-M2产品令安装和移除变得简单方便。

RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET,提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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