晶体管有源区(AA)尺寸改进的Gysel功分网络具有幅度均衡功能
发布时间:2021/8/30 22:28:28 访问次数:197
S21和S31幅频特性外,各端口驻波特性对最终产品的工作稳定性尤为重要。
典型的1:2 Gysel各端口的反射系数优于-20 dB,S21和S31一致性很好,插损在-3.11 dB和-3.17 dB之间,起伏非常小甚至可以忽略不计,这是Gysel的常规用法。
改进的Gysel功分网络具有幅度均衡功能,换言之,可以实现功分网络和均衡网络的一体化设计。
为了达到设计目的,Z1,Z2和Z3不取传统意义上的阻抗值,把其长度L和宽度W均设为可调节的变量,并且采用分频段设置优化目标的方法来满足特殊的幅度均衡要求。
制造商: Infineon
产品种类: 门驱动器
RoHS: 详细信息
产品: Half-Bridge Drivers
类型: Half-Bridge
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DIP-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 230 mA
电源电压-最小: 12.6 V
电源电压-最大: 15.4 V
配置: High Side, Low Side
上升时间: 150 ns
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
技术: Si
商标: Infineon / IR
工作电源电流: 10 mA
工作电源电压: 14 V
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 2.268 g

随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。
而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。
而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
S21和S31幅频特性外,各端口驻波特性对最终产品的工作稳定性尤为重要。
典型的1:2 Gysel各端口的反射系数优于-20 dB,S21和S31一致性很好,插损在-3.11 dB和-3.17 dB之间,起伏非常小甚至可以忽略不计,这是Gysel的常规用法。
改进的Gysel功分网络具有幅度均衡功能,换言之,可以实现功分网络和均衡网络的一体化设计。
为了达到设计目的,Z1,Z2和Z3不取传统意义上的阻抗值,把其长度L和宽度W均设为可调节的变量,并且采用分频段设置优化目标的方法来满足特殊的幅度均衡要求。
制造商: Infineon
产品种类: 门驱动器
RoHS: 详细信息
产品: Half-Bridge Drivers
类型: Half-Bridge
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DIP-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 230 mA
电源电压-最小: 12.6 V
电源电压-最大: 15.4 V
配置: High Side, Low Side
上升时间: 150 ns
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
技术: Si
商标: Infineon / IR
工作电源电流: 10 mA
工作电源电压: 14 V
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 2.268 g

随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。
而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。
而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
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