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晶体管有源区(AA)尺寸改进的Gysel功分网络具有幅度均衡功能

发布时间:2021/8/30 22:28:28 访问次数:197

S21和S31幅频特性外,各端口驻波特性对最终产品的工作稳定性尤为重要。

典型的1:2 Gysel各端口的反射系数优于-20 dB,S21和S31一致性很好,插损在-3.11 dB和-3.17 dB之间,起伏非常小甚至可以忽略不计,这是Gysel的常规用法。

改进的Gysel功分网络具有幅度均衡功能,换言之,可以实现功分网络和均衡网络的一体化设计。

为了达到设计目的,Z1,Z2和Z3不取传统意义上的阻抗值,把其长度L和宽度W均设为可调节的变量,并且采用分频段设置优化目标的方法来满足特殊的幅度均衡要求。

制造商:    Infineon    

产品种类:    门驱动器    

RoHS:    详细信息    

产品:    Half-Bridge Drivers    

类型:    Half-Bridge    

安装风格:    Through Hole    

封装 / 箱体:    DIP-8    

激励器数量:    2 Driver    

输出端数量:    2 Output    

输出电流:    230 mA    

电源电压-最小:    12.6 V    

电源电压-最大:    15.4 V    

配置:    High Side, Low Side    

上升时间:    150 ns    

下降时间:    75 ns    

最小工作温度:    - 25 C    

最大工作温度:    + 125 C    

封装:    Tube    

技术:   Si    

商标:   Infineon / IR    

工作电源电流:   10 mA    

工作电源电压:   14 V    

Pd-功率耗散:   1 W    

产品类型:   Gate Drivers    

工厂包装数量:   3000    

子类别:   PMIC - Power Management ICs    

单位重量:  2.268 g  

随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

S21和S31幅频特性外,各端口驻波特性对最终产品的工作稳定性尤为重要。

典型的1:2 Gysel各端口的反射系数优于-20 dB,S21和S31一致性很好,插损在-3.11 dB和-3.17 dB之间,起伏非常小甚至可以忽略不计,这是Gysel的常规用法。

改进的Gysel功分网络具有幅度均衡功能,换言之,可以实现功分网络和均衡网络的一体化设计。

为了达到设计目的,Z1,Z2和Z3不取传统意义上的阻抗值,把其长度L和宽度W均设为可调节的变量,并且采用分频段设置优化目标的方法来满足特殊的幅度均衡要求。

制造商:    Infineon    

产品种类:    门驱动器    

RoHS:    详细信息    

产品:    Half-Bridge Drivers    

类型:    Half-Bridge    

安装风格:    Through Hole    

封装 / 箱体:    DIP-8    

激励器数量:    2 Driver    

输出端数量:    2 Output    

输出电流:    230 mA    

电源电压-最小:    12.6 V    

电源电压-最大:    15.4 V    

配置:    High Side, Low Side    

上升时间:    150 ns    

下降时间:    75 ns    

最小工作温度:    - 25 C    

最大工作温度:    + 125 C    

封装:    Tube    

技术:   Si    

商标:   Infineon / IR    

工作电源电流:   10 mA    

工作电源电压:   14 V    

Pd-功率耗散:   1 W    

产品类型:   Gate Drivers    

工厂包装数量:   3000    

子类别:   PMIC - Power Management ICs    

单位重量:  2.268 g  

随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。

而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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