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菊花链连接来分散控制多个高达850 VDC的伺服电机

发布时间:2021/9/10 21:36:12 访问次数:226

Speedtec 623信号连接器可为电机控制和复杂机器功能监测提供理想的信号传输功能。

17针连接器具有125 V (AC/DC)额定电压和7 A额定电流,并提供快速插拔型和和行业标准的M23螺纹型版本,均可采用法兰或直角安装。

Speedtec 723系列10针M23混合(电源和信号)连接器为定制应用提供多种配置,有单独的屏蔽数据元件。

该连接器可通过菊花链连接来分散控制多个高达850 VDC的伺服电机,进而满足更高的电气强度要求。这款超级混合连接器可传输30 A的电流并能连接导线横截面积高达4mm2的电缆。

制造商: Infineon

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: High Side

输出端数量: 1 Output

输出电流: 9.5 A

电流限制: 37.5 A

导通电阻—最大值: 7 mOhms

运行时间—最大值: 550 us

空闲时间—最大值: 600 us

工作电源电压: 5.5 V to 30 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-220-7

系列: High-Current PROFET

资格: AEC-Q100

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

Pd-功率耗散: -

产品: Power Switches

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 50

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 30 V

电源电压-最小: 5.5 V

商标名: PROFET

零件号别名: BTS50080-1TMB SP000385910

单位重量: 260.400 mg

TPS7H4002-SP是抗辐射加固的5.5V 3A同步降压转换器,通过高效和集成了高边和低边MOSFET具有最佳的小型化设计.

通过电流模式控制,降低了元件数量进一步节省了空间,而高开关频率又降低了电感的占位面积.

抗辐射加固高达TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高达LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率为96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大输出电流3A.

(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)   


Speedtec 623信号连接器可为电机控制和复杂机器功能监测提供理想的信号传输功能。

17针连接器具有125 V (AC/DC)额定电压和7 A额定电流,并提供快速插拔型和和行业标准的M23螺纹型版本,均可采用法兰或直角安装。

Speedtec 723系列10针M23混合(电源和信号)连接器为定制应用提供多种配置,有单独的屏蔽数据元件。

该连接器可通过菊花链连接来分散控制多个高达850 VDC的伺服电机,进而满足更高的电气强度要求。这款超级混合连接器可传输30 A的电流并能连接导线横截面积高达4mm2的电缆。

制造商: Infineon

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: High Side

输出端数量: 1 Output

输出电流: 9.5 A

电流限制: 37.5 A

导通电阻—最大值: 7 mOhms

运行时间—最大值: 550 us

空闲时间—最大值: 600 us

工作电源电压: 5.5 V to 30 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-220-7

系列: High-Current PROFET

资格: AEC-Q100

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

Pd-功率耗散: -

产品: Power Switches

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 50

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 30 V

电源电压-最小: 5.5 V

商标名: PROFET

零件号别名: BTS50080-1TMB SP000385910

单位重量: 260.400 mg

TPS7H4002-SP是抗辐射加固的5.5V 3A同步降压转换器,通过高效和集成了高边和低边MOSFET具有最佳的小型化设计.

通过电流模式控制,降低了元件数量进一步节省了空间,而高开关频率又降低了电感的占位面积.

抗辐射加固高达TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高达LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率为96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大输出电流3A.

(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)   


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