导通损耗与IGBT基本相同的SiC MOSFET纳入考虑范围
发布时间:2021/8/13 12:58:59 访问次数:558
由于IGBT的电流导通损耗为4.4W，因此应将导通损耗与IGBT基本相同的SiC MOSFET纳入考虑范围。导通损耗可根据SiC MOSFET的导通电阻计算得出。
与导通电阻和逆变器输出相电流相关的导通损耗，在一系列潜在的输出相电流条件下，应将与现有IGBT导通损耗相同的SiC MOSFET纳入考虑范围。
TW070J120B SiC MOSFET被确定为最佳选择。该器件具有70mΩ导通电阻，具有与现有IGBT几乎相同的导通损耗（4.4W）。
射频无线杂项
695
信号调节
4,607
射频检测器
4,159
射频放大器
3,582
EMI垫片、金属薄片、吸收片和屏蔽片
1,697
标准LED-通孔
48,464
集管和线壳
16,099
铁氧体磁珠
108,016
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT
8,347
标准LED-通孔
8,863
确认目标产品和损耗提高效率的第一个尝试是2kVA输出单相逆变器。显而易见，该类逆变器产品如能进一步降低损耗，在市场上将会更具竞争力。
此功能可以提高生产率，比如在工人接近危险时及时发出警报，帮助防止机器减速或停车。
此外，CIP Safety 功能还扩展了可用的诊断数据范围，可以就诸如扫描仪镜头上有灰尘等常见故障对用户发出警报。
更高的浪涌,雪崩能力和短路鲁棒性有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
由于IGBT的电流导通损耗为4.4W，因此应将导通损耗与IGBT基本相同的SiC MOSFET纳入考虑范围。导通损耗可根据SiC MOSFET的导通电阻计算得出。
与导通电阻和逆变器输出相电流相关的导通损耗，在一系列潜在的输出相电流条件下，应将与现有IGBT导通损耗相同的SiC MOSFET纳入考虑范围。
TW070J120B SiC MOSFET被确定为最佳选择。该器件具有70mΩ导通电阻，具有与现有IGBT几乎相同的导通损耗（4.4W）。
射频无线杂项
695
信号调节
4,607
射频检测器
4,159
射频放大器
3,582
EMI垫片、金属薄片、吸收片和屏蔽片
1,697
标准LED-通孔
48,464
集管和线壳
16,099
铁氧体磁珠
108,016
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT
8,347
标准LED-通孔
8,863
确认目标产品和损耗提高效率的第一个尝试是2kVA输出单相逆变器。显而易见，该类逆变器产品如能进一步降低损耗，在市场上将会更具竞争力。
此功能可以提高生产率，比如在工人接近危险时及时发出警报，帮助防止机器减速或停车。
此外，CIP Safety 功能还扩展了可用的诊断数据范围，可以就诸如扫描仪镜头上有灰尘等常见故障对用户发出警报。
更高的浪涌,雪崩能力和短路鲁棒性有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-19高功率瞬态抑制二极管DO-214AB SMC封装
- 5-19400mA、10V、低压差稳压器REG113
- 5-19低压差线性稳压器（Low-Dropout Regulator）详解
- 5-19储能市场升降压充电IC市场发展及应用前景原创
- 5-19数据新时代BBU市场规模高速增长探究
- 5-19高精度BMS芯片市场前景及未来发展分析
- 5-17双音频(DTMF)发生器HT9200AB
- 5-17第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管
- 5-17全新X-Cite TETREM LED光源特点应用
- 5-17全球半导体市场规模及发展前景分析
- 5-17铁基液流电池（Iron-based Flow Battery， I
- 5-17板对板连接器SFM-103-T1-S-D-LC-K-TR
公网安备44030402000607
