UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态分压和稳压器件
发布时间:2021/8/9 17:35:26 访问次数:841
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。
如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。
STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:低压差稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-3 输出电压:3.3 V 输出电流:1 A 输出端数量:1 Output 极性:Positive 静态电流:5 mA 最大输入电压:15 V 最小输入电压:1.5 V 输出类型:Fixed 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 回动电压:1.15 V 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:LDO Voltage Regulators 类型:Low Dropout Linear Regulator 商标:Diodes Incorporated PSRR/纹波抑制—典型值:75 dB 线路调整率:0.035 % 负载调节:0.2 % 湿度敏感性:Yes 产品类型:LDO Voltage Regulators 参考电压:1.25 V 工厂包装数量4000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:112 mg
汽车级器件具有高压处理能力，精度和稳定性优于大多数标准厚膜片式电阻，设计人员可用以减少元器件数量，节省布局成本，缩小PCB尺寸。
电阻的阻值范围2 MΩ至500 MΩ，公差低至± 1.0 %，温度系数± 100 ppm/°C。
这些技术规格使其成为汽车、工业和医疗应用电池管理，电源逆变器和高压电源电压监测、分压和稳压的理想器件。
CRHA系列电阻采用三面卷包配置带焊锡涂层的镍隔板端子。电阻符合RoHS豁免标准，无卤素。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。
如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。
STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:低压差稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-3 输出电压:3.3 V 输出电流:1 A 输出端数量:1 Output 极性:Positive 静态电流:5 mA 最大输入电压:15 V 最小输入电压:1.5 V 输出类型:Fixed 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 回动电压:1.15 V 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:LDO Voltage Regulators 类型:Low Dropout Linear Regulator 商标:Diodes Incorporated PSRR/纹波抑制—典型值:75 dB 线路调整率:0.035 % 负载调节:0.2 % 湿度敏感性:Yes 产品类型:LDO Voltage Regulators 参考电压:1.25 V 工厂包装数量4000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:112 mg
汽车级器件具有高压处理能力，精度和稳定性优于大多数标准厚膜片式电阻，设计人员可用以减少元器件数量，节省布局成本，缩小PCB尺寸。
电阻的阻值范围2 MΩ至500 MΩ，公差低至± 1.0 %，温度系数± 100 ppm/°C。
这些技术规格使其成为汽车、工业和医疗应用电池管理，电源逆变器和高压电源电压监测、分压和稳压的理想器件。
CRHA系列电阻采用三面卷包配置带焊锡涂层的镍隔板端子。电阻符合RoHS豁免标准，无卤素。
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