Integra 100V射频氮化镓技术将彻底重新定义高功率射频系统的可能性。

此项技术与单个封装的50V氮化镓晶体管相比，可以提供约为其两倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相关的电子电路，从而缩小系统体积，减轻重量和降低成本，同时提高系统效率。

IGN1011S3600基于Integra的100V射频氮化镓技术，对于需要改进尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的项目来说，是一款极具吸引力的解决方案。

可以向具有资质的客户提供IGN1011S3600 100V射频氮化镓/碳化硅产品的样品。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 310 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 100 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 30 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 120 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

零件号别名: IPB180N04S4L-H0 SP000979636

单位重量: 1.600 g

电力传输（PD）功能的USB Type-C®和开源软件是引领下一波有线连接潮流两种技术。

Microchip PSF解决方案提供一个用于电力传输的开源代码库和一个全面的编程环境，消除了对制造商的依赖，用户可以很方便地对MCU进行编程，并随着系统的升级及时修改PD代码。

全新电力传输软件框架（PSF），设计人员现在可以在他们的USB-C®电力传输系统中修改并拥有IP。

利用这一引领行业变革的解决方案，客户可以缩短产品上市时间，减少总体物料清单（BOM），从而掌握自己产品的开发。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）