Integra的100V射频氮化镓技术的问世是高功率市场的一个重要里程碑。此项创新技术可以消除目前限制系统性能的障碍，并支持采用以前无法实现的新架构。

Integra的首款100V射频氮化镓产品是IGN1011S3600，专为航空电子应用而设计。IGN1011S3600输出功率为3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在业界领先。

通过将他们的专有代码与Microchip的全功能PD协议栈相结合，设计人员可灵活地创建差异化产品，同时为其USB系统选择各种Microchip 智能集线器（SmartHub）、单片机（MCU）和独立PD决方案。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 245 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 80 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 21 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 90 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: IPB180N04S4L-01 SP000979928

单位重量: 1.600 g

利用软件和硬件框架，开发人员还可以从Microchip新推出的控制器系列产品中进行选择，以拥有PD功能，包括新推出的UPD301B 和 UPD301C独立PD控制器。 

PD架构的开放性使客户可以轻松地将USB-C / PD端口添加到各种嵌入式应用中，同时还允许客户将未使用的引脚或CPU存储器重新分配给其他系统功能，并支持多种Microchip SAM和PIC®单片机以及dsPIC®数字信号控制器（DSC）。

新的PD软件框架，所有支持USB-C的Microchip 单片机和独立控制器现在都可以共享相同的PD代码库。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）