9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。

新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容,且在可靠性方面有着显著优势。

新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准，额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD41C /-Q和MJD42C /-Q）。

制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:480 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:27 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:39 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:2.3 mm长度:6.5 mm晶体管类型:1 P-Channel类型:Preliminary宽度:6.22 mm商标:Infineon / IR下降时间:31 ns产品类型:MOSFET上升时间:47 ns工厂包装数量:2000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:28 ns典型接通延迟时间:14 ns零件号别名:IRFR9120NTRPBF SP001557182单位重量:330 mg

M4K组12款面向电机控制的新产品，这也是TXZ+TM族高级系列的首批产品。东芝还将于2021年8月开始量产M4M组的其他10款产品。M4K组和M4M组微控制器都将以40纳米工艺生产，同属TXZ4A+系列。

搭载FPU的Arm Cortex-M4内核，运行频率高达160MHz，集成了电机控制电路A-PMD（高级可编程电机驱动器）、32位编码器A-ENC（高级编码器）和矢量引擎A-VE+（高级矢量引擎+）。

搭载三单元高速、高分辨率12位模数转换器，可以为交流电机、直流无刷电机和各种逆变器控制提供理想的解决方案。