140dB的高动态范围(HDR)汽车图像传感器更小的电路板
发布时间:2021/7/9 23:35:08 访问次数:529
MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器，并内置了所有的必备的保护功能。
设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。
输入兼容3.3V-15V逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。
GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。
一个联合解决方案，该方案经过预先调校，可为开发人员节省长达三个月的调校工作。
该解决方案包括OmniVision的OX03C10，据称它是世界上唯一一款结合了3.0μm大像素、高达140dB的高动态范围（HDR）传感器的汽车图像传感器，可将运动伪影降至最低，并具有最高的LED闪烁缓解（LFM）性能。
这款传感器集成了OmniVision的HALE（HDR和LFM引擎）组合算法，独特地同时提供了最高的HDR和LFM性能，同时其Deep Well双转换增益技术可显著降低运动伪影。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器，并内置了所有的必备的保护功能。
设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。
输入兼容3.3V-15V逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。
GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。
一个联合解决方案，该方案经过预先调校，可为开发人员节省长达三个月的调校工作。
该解决方案包括OmniVision的OX03C10，据称它是世界上唯一一款结合了3.0μm大像素、高达140dB的高动态范围（HDR）传感器的汽车图像传感器，可将运动伪影降至最低，并具有最高的LED闪烁缓解（LFM）性能。
这款传感器集成了OmniVision的HALE（HDR和LFM引擎）组合算法，独特地同时提供了最高的HDR和LFM性能，同时其Deep Well双转换增益技术可显著降低运动伪影。
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