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金属合金电流传感元件提供的热EMF低至0.25

发布时间:2021/7/2 23:59:58 访问次数:170


转接卡兼容所有的配有ZIF接口的STM32 Discovery探索板和评估板,还可以与意法半导体的VG5661车规灰度全局快门摄像头配合使用。

Waveshare接口和OpenMV接口让用户可以连接各种第三方红外和可见光摄像头,以解决更广泛的计算机视觉应用问题。

FP-AI-VISION1包含各种帧缓冲处理功能、摄像头驱动程序,以及图像捕获软件、预处理软件和神经网络推断软件,还有几种神经网络模型可供使用.

制造商:Texas Instruments 产品种类:逻辑门 产品:Single-Function Gate 逻辑功能:AND 逻辑系列:LVC 栅极数量:4 Gate 输入线路数量:2 Input 输出线路数量:1 Output 高电平输出电流:- 24 mA 低电平输出电流:24 mA 传播延迟时间:4.1 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 功能:The SN54LVC08A quadruple 2-input positive-AND gate is designed for 2.7-V to 3.6-V VCC operation 高度:1.15 mm 输入类型:TTL 长度:5 mm 工作温度范围:- 40 C to + 125 C 输出类型:TTL 宽度:4.4 mm 商标:Texas Instruments 逻辑类型:2-Input AND 位数:4 bit 工作电源电流:10 uA 工作电源电压:3.3 V 产品类型:Logic Gates 工厂包装数量2000 子类别:Logic ICs 单位重量:57.200 mg



“裸铜”版本的结构没有镀锡,可增强TCR性能,铜端子上覆盖有一层保护层,有助于延长电阻器的使用寿命。

扩展的Bourns ® CSM2F型系列的电阻值低至25纳秒.

微欧高达200   微欧,永久额定功率高达50纳秒;瓦,连续电流达1414   放大器和高脉冲功率处理能力。

该系列使用电子束(E-Beam)焊接电阻铜合金制造,其中金属合金电流传感元件提供的热EMF低至0.25 ;V / K和50的低TCR   PPM /度 C在20 ° C 摄氏度到60摄氏度 温度范围。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


转接卡兼容所有的配有ZIF接口的STM32 Discovery探索板和评估板,还可以与意法半导体的VG5661车规灰度全局快门摄像头配合使用。

Waveshare接口和OpenMV接口让用户可以连接各种第三方红外和可见光摄像头,以解决更广泛的计算机视觉应用问题。

FP-AI-VISION1包含各种帧缓冲处理功能、摄像头驱动程序,以及图像捕获软件、预处理软件和神经网络推断软件,还有几种神经网络模型可供使用.

制造商:Texas Instruments 产品种类:逻辑门 产品:Single-Function Gate 逻辑功能:AND 逻辑系列:LVC 栅极数量:4 Gate 输入线路数量:2 Input 输出线路数量:1 Output 高电平输出电流:- 24 mA 低电平输出电流:24 mA 传播延迟时间:4.1 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 功能:The SN54LVC08A quadruple 2-input positive-AND gate is designed for 2.7-V to 3.6-V VCC operation 高度:1.15 mm 输入类型:TTL 长度:5 mm 工作温度范围:- 40 C to + 125 C 输出类型:TTL 宽度:4.4 mm 商标:Texas Instruments 逻辑类型:2-Input AND 位数:4 bit 工作电源电流:10 uA 工作电源电压:3.3 V 产品类型:Logic Gates 工厂包装数量2000 子类别:Logic ICs 单位重量:57.200 mg



“裸铜”版本的结构没有镀锡,可增强TCR性能,铜端子上覆盖有一层保护层,有助于延长电阻器的使用寿命。

扩展的Bourns ® CSM2F型系列的电阻值低至25纳秒.

微欧高达200   微欧,永久额定功率高达50纳秒;瓦,连续电流达1414   放大器和高脉冲功率处理能力。

该系列使用电子束(E-Beam)焊接电阻铜合金制造,其中金属合金电流传感元件提供的热EMF低至0.25 ;V / K和50的低TCR   PPM /度 C在20 ° C 摄氏度到60摄氏度 温度范围。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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