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DSP单元或霍尔效应传感器接口实现1.2768亿的有效像素

发布时间:2021/7/1 21:14:49 访问次数:199

这两项独创技术实现了1.2768亿的有效像素、10位、21.8帧的高速输出数据率,比前代产品*4快了近4倍,多像素和读出速度的大幅提升,极大地提高了工业应用中的生产率。

这种设计在不增加尺寸的情况下,改善了AD转换器的处理功能。高速移动的物体进行无模糊成像的短曝光时间功能,在低亮度情况下可提高灵敏度的像素组合读取功能.

使用嵌入式时钟信号的数据传输方式。这样就不需要在通道之间进行倾斜调整,并减少了所需的布线量,使电路板的设计更加简单,从而适应更高的速度。

制造商:Silicon Laboratories产品种类:数字隔离器RoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-16通道数量:4 Channel极性:Unidirectional数据速率:150 Mb/s绝缘电压:3750 Vrms隔离类型:Capacitive Coupling电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.375 V工作电源电流:14.3 mA传播延迟时间:8 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel类型:High Speed商标:Silicon Labs正向通道:3 Channel最大下降时间:4 ns最大上升时间:4 ns湿度敏感性:YesPd-功率耗散:275 mW产品类型:Digital Isolators脉冲宽度:5 ns脉冲宽度失真:0.2 ns反向通道:1 Channel2500子类别:Interface ICs单位重量:547.510 mg

MASTERGAN1是先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个增强模式半桥配置的GaN晶体管.集成的功率GaN的RDS(ON)为150 mΩ,漏-源击穿电压为650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高边栅极驱动器很容易有集成的自举二极管供电. 

MASTERGAN1器件在低边和高边驱动两部分有UVLO保护,从而阻止了功率开关工作在低效率或危险条件,内部锁住功能也避免了交叉导通的条件.

输入引脚的扩展范围使得容易和微处理器,DSP单元或霍尔效应传感器接口.


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

这两项独创技术实现了1.2768亿的有效像素、10位、21.8帧的高速输出数据率,比前代产品*4快了近4倍,多像素和读出速度的大幅提升,极大地提高了工业应用中的生产率。

这种设计在不增加尺寸的情况下,改善了AD转换器的处理功能。高速移动的物体进行无模糊成像的短曝光时间功能,在低亮度情况下可提高灵敏度的像素组合读取功能.

使用嵌入式时钟信号的数据传输方式。这样就不需要在通道之间进行倾斜调整,并减少了所需的布线量,使电路板的设计更加简单,从而适应更高的速度。

制造商:Silicon Laboratories产品种类:数字隔离器RoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-16通道数量:4 Channel极性:Unidirectional数据速率:150 Mb/s绝缘电压:3750 Vrms隔离类型:Capacitive Coupling电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.375 V工作电源电流:14.3 mA传播延迟时间:8 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel类型:High Speed商标:Silicon Labs正向通道:3 Channel最大下降时间:4 ns最大上升时间:4 ns湿度敏感性:YesPd-功率耗散:275 mW产品类型:Digital Isolators脉冲宽度:5 ns脉冲宽度失真:0.2 ns反向通道:1 Channel2500子类别:Interface ICs单位重量:547.510 mg

MASTERGAN1是先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个增强模式半桥配置的GaN晶体管.集成的功率GaN的RDS(ON)为150 mΩ,漏-源击穿电压为650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高边栅极驱动器很容易有集成的自举二极管供电. 

MASTERGAN1器件在低边和高边驱动两部分有UVLO保护,从而阻止了功率开关工作在低效率或危险条件,内部锁住功能也避免了交叉导通的条件.

输入引脚的扩展范围使得容易和微处理器,DSP单元或霍尔效应传感器接口.


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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