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宽开关频率范围允许外接时钟信号同步提高输出接口的速度

发布时间:2021/7/1 20:51:57 访问次数:908

为了实现高速读出,必须提高将像素输出的模拟信号转换为数字信号的AD转换器的处理功能,同时提高输出接口的速度。

这款产品采用了索尼独创的设备配置,采用了晶圆上芯片工艺,将具有某些功能的芯片堆叠在像素晶圆顶部,从而实现了AD转换器的最佳定位。

新传感器还采用了索尼开发的 “具有嵌入式时钟的可扩展低电压信号(SLVS-ECTM)*7 ”高速接口标准,以使输出接口更快。

制造商:Osram Opto Semiconductor产品种类:红外发射器 - 大功率RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole波长:850 nm辐射强度:1100 mW/sr射束角:6 degIf - 正向电流:100 mAVf - 正向电压:1.5 V功率额定值:180 mW封装 / 箱体:T-1 3/4 (5 mm)最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C封装:Bulk资格:AEC-Q101高度:9 mm照明颜色:Infrared长度:5.9 mm产品:High Power Infrared Emitters类型:High Power Infrared Emitters宽度:5.9 mm商标:OSRAM Opto Semiconductors透镜形状:Dome显示角:6 deg下降时间:12 ns透镜尺寸:5.1 mm x 5.1 mm x 7.8 mm产品类型:IR Emitters (IR LEDs)上升时间:12 ns工厂包装数量:1000子类别:Infrared Data CommunicationsVr - 反向电压 :5 V零件号别名:Q65110A1772 Q65110A1772单位重量:330 mg

宽开关频率范围允许选择合适的线圈和电容.开关频率可以和外接时钟信号同步. 

TLS412xD0EPV50能检测到输出电压的欠压和过压条件,并以重置输出信号的方式来指示.过流和过载的检测避免了过电流,从而保护了短路条件下的器件.

集成的内部热关断特性保护了器件免于过热.器件的输入电压范围从3.7V到35V,5V输出电压,超低电流损耗为31 μA.器件的工作温度为Tj = -40C到150C,绿色产品RoHS兼容,增强PG-TSDSO-14封装.主要用在车体,ADSA,导航,娱乐信息和远程信息系统.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

为了实现高速读出,必须提高将像素输出的模拟信号转换为数字信号的AD转换器的处理功能,同时提高输出接口的速度。

这款产品采用了索尼独创的设备配置,采用了晶圆上芯片工艺,将具有某些功能的芯片堆叠在像素晶圆顶部,从而实现了AD转换器的最佳定位。

新传感器还采用了索尼开发的 “具有嵌入式时钟的可扩展低电压信号(SLVS-ECTM)*7 ”高速接口标准,以使输出接口更快。

制造商:Osram Opto Semiconductor产品种类:红外发射器 - 大功率RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole波长:850 nm辐射强度:1100 mW/sr射束角:6 degIf - 正向电流:100 mAVf - 正向电压:1.5 V功率额定值:180 mW封装 / 箱体:T-1 3/4 (5 mm)最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C封装:Bulk资格:AEC-Q101高度:9 mm照明颜色:Infrared长度:5.9 mm产品:High Power Infrared Emitters类型:High Power Infrared Emitters宽度:5.9 mm商标:OSRAM Opto Semiconductors透镜形状:Dome显示角:6 deg下降时间:12 ns透镜尺寸:5.1 mm x 5.1 mm x 7.8 mm产品类型:IR Emitters (IR LEDs)上升时间:12 ns工厂包装数量:1000子类别:Infrared Data CommunicationsVr - 反向电压 :5 V零件号别名:Q65110A1772 Q65110A1772单位重量:330 mg

宽开关频率范围允许选择合适的线圈和电容.开关频率可以和外接时钟信号同步. 

TLS412xD0EPV50能检测到输出电压的欠压和过压条件,并以重置输出信号的方式来指示.过流和过载的检测避免了过电流,从而保护了短路条件下的器件.

集成的内部热关断特性保护了器件免于过热.器件的输入电压范围从3.7V到35V,5V输出电压,超低电流损耗为31 μA.器件的工作温度为Tj = -40C到150C,绿色产品RoHS兼容,增强PG-TSDSO-14封装.主要用在车体,ADSA,导航,娱乐信息和远程信息系统.

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