新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。

现在的制造商对于生产成本日益敏感，我们的目标是为客户提供技术创新、高生产率和高性价比的ICP刻蚀解决方案。

制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:250 ARds On-漏源导通电阻:1.13 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极电荷:91 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:167 W, 3.8 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single晶体管类型:1 N-Channel商标:ON Semiconductor正向跨导 - 最小值:151 S下降时间:18 ns产品类型:MOSFET上升时间:51 ns1500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:47 ns典型接通延迟时间:19 ns单位重量:750 mg

以整合数字签名功能与区块链技术的“InnoBTS™ SSD”（Blockchain Technology Storage）解决方案，进一步强化智能物联设备的数据正确性与最高等级保护。

透过区块链分散账本的特性，确保数据正确性与高度完整性，将特别适用于如智慧电表，智能无人商店，数字身份辨识等各种物联应用。

InnoBTS™ SSD采用非对称性密码学的公开数据加密技术，可产生专属的私钥（private key），并透过私钥和公钥的发送配对，启动数字签名机制作为资料认证。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）