在优化DDR5 DRAM内核运算能力单台反应器相同的刻蚀结果
发布时间:2021/6/30 22:51:37 访问次数:473
由于Primo Twin-Star®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova®相同或相似的设计，在众多的刻蚀应用中，Primo Twin-Star®显示了和单台反应器相同的刻蚀结果。这就给客户提供了高质量、高输出和低成本的解决方案。
Primo Twin-Star®刻蚀设备已收到来自国内领先客户的订单。
目前，首台Primo Twin-Star®设备已交付客户投入生产，良率稳定。公司还在进行用于不同刻蚀应用的多项评估。
Primo Twin-Star®设备优化了中微公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备产品线。
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。DDR5 DIMM新架构采用两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用内存通道增加一倍。
在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
由于Primo Twin-Star®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova®相同或相似的设计，在众多的刻蚀应用中，Primo Twin-Star®显示了和单台反应器相同的刻蚀结果。这就给客户提供了高质量、高输出和低成本的解决方案。
Primo Twin-Star®刻蚀设备已收到来自国内领先客户的订单。
目前，首台Primo Twin-Star®设备已交付客户投入生产，良率稳定。公司还在进行用于不同刻蚀应用的多项评估。
Primo Twin-Star®设备优化了中微公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备产品线。
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。DDR5 DIMM新架构采用两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用内存通道增加一倍。
在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。
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