TOLT封装针对优异的热性能进行优化。此封装在结构方面采用上下翻转的导线，将裸露的金属置于顶端，且每一面都有多条鸥翼型导线，可提供高电流承载的漏极与源极连接。

在导线上下翻转的框架中，热量会从裸露的金属顶端穿过绝缘材料，直接传到散热片。与TOLL底部冷却封装相比，TOLT的 R thJA改善了20%，R thJC则改善了50%。

这些规格可降低系统物料成本，特别是散热片。此外，由于现在可将组件安装在MOSFET的底部，因此采用TOLT封装的OptiMOS能够减少PCB空间。

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商零件编号

GF1G-E3/67A

描述

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 标准-表面贴装-二极管-400V-1A-DO-214BA（GF1）

二极管类型 标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 400V

电流 - 平均整流（Io） 1A

不同 If 时的电压 - 正向（Vf 1.1V @ 1A

速度 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间（trr） 2μs

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 400V

不同 Vr，F 时的电容 -

安装类型 表面贴装

封装/外壳 DO-214BA

供应商器件封装 DO-214BA（GF1）

工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C

合ISO 11452-8要求的杂散场稳健性位置检测（线性和上至360°旋转）

180°旋转应用的梯度杂散场补偿

真3D磁场测量BX, BY和BZ

传输位置信息，最多两个已计算的角度、角速度、磁场幅度和/或芯片温度

SEooC符合ISO 26262的要求，可支持功能安全应用

宽供电电压范围：3.0 V到18 V

-40 °C至160 °C的宽温度范围，适用于汽车应用

带集成去耦电容器的三引脚TO92UF晶体管封装