SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关，以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能，简化设计人员两种电路的器件选择。

4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW，而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为29.8 mW*nC，是市场上优值系数最低的产品之一。

器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

制造商: Microchip

产品种类: 电可擦除可编程只读存储器

RoHS:  详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow

接口类型: 2-Wire, I2C

存储容量: 1 kbit

组织: 128 x 8

电源电压-最小: 1.7 V

电源电压-最大: 3.6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

最大时钟频率: 1 MHz

数据保留: 100 Year

电源电流—最大值: 1 mA

系列: AT24C01D

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

商标: Microchip Technology / Atmel

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 1.7 V to 3.6 V

产品类型: EEPROM

工厂包装数量: 4000

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 540 mg

用于汽车的S-19914/5系列低EMI降压开关稳压器。

S-19914/5系列是一款低EMI降压开关稳压器，内置扩频时钟生成电路(*1)，可减少集成电路(IC)产生的传导噪音和辐射噪音。

产品可将传导噪音降低到之前型号的1/3。S-19914/5系列采用业界最小的(*2) HSNT-8(2030)封装（2.0×3.0×t0.5mm），有助于缩小摄像头模块的尺寸，并能满足当前汽车设备的市场需求。

工作电压为36V、输出电流为1A的DC-DC转换器。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）