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耐高温性能正在推动结温加速从目前的150℃迈向175℃

发布时间:2021/5/8 13:25:45 访问次数:581

AS585xB系列的所有三个版本都采用相同的尺寸和引脚分配,因此FPD制造商可以通过单一电路板设计和主机系统接口轻松地构建出一系列产品,以满足不同客户或细分市场的需求。

柔性电路板芯片标准封装选项的加入,高性能的艾迈斯半导体读取IC可以用于成本竞争激烈的医学成像细分市场以及更广阔的工业市场,为更多的艾迈斯半导体产品开拓了更多的全球市场。

艾迈斯半导体可以根据客户的具体需求提供具有相应柔性设计的AS585x系列读出IC。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:2.5 A Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:70 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:40 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:36 ns 典型接通延迟时间:17 ns 单位重量:2 g

第三代宽禁带半导体器件(如SiC)已走过了从出现发展到已日趋成熟并全面商业化普及的路径,其独特的耐高温性能正在推动结温加速从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。

SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。

这些目前典型的、未来还将出现的高温、高功率密度应用.

包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及其他各种液体冷却受到严重限制的电力应用。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

AS585xB系列的所有三个版本都采用相同的尺寸和引脚分配,因此FPD制造商可以通过单一电路板设计和主机系统接口轻松地构建出一系列产品,以满足不同客户或细分市场的需求。

柔性电路板芯片标准封装选项的加入,高性能的艾迈斯半导体读取IC可以用于成本竞争激烈的医学成像细分市场以及更广阔的工业市场,为更多的艾迈斯半导体产品开拓了更多的全球市场。

艾迈斯半导体可以根据客户的具体需求提供具有相应柔性设计的AS585x系列读出IC。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:2.5 A Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:70 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:40 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:36 ns 典型接通延迟时间:17 ns 单位重量:2 g

第三代宽禁带半导体器件(如SiC)已走过了从出现发展到已日趋成熟并全面商业化普及的路径,其独特的耐高温性能正在推动结温加速从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。

SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。

这些目前典型的、未来还将出现的高温、高功率密度应用.

包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及其他各种液体冷却受到严重限制的电力应用。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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