CISSOID IPM 智能功率模块除采用了国际上最流行的SiC MOSFET芯片外，我们也与中国国内的SiC芯片厂商开展深入合作，也相继推出了基于中国国产SiC MOSFET的IPM模块（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.

这些中国国产版的SiCIPM模块一方面适应了中国国内的市场需求，另一方面亦促进了与国内半导体产业链的共同发展。

Yole Development的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用需求一直推动着结温的升高，目前已达到150℃。

制造商:Vishay 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:43 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 Pd-功率耗散:300 mW 电压容差:2 % 电压温度系数:12 PPM / C 齐纳电流:50 nA Zz - 齐纳阻抗:150 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.15 mm 长度:3.1 mm 宽度:1.43 mm 商标:Vishay Semiconductors Ir - 反向电流 :50 nA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量10000 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:BZX84B43-V-GS08 单位重量:8 mg

导通电阻仅有3.25mΩ，而开关损耗仅为分别为8.42mJ和7.05mJ（在600V300A 条件下）。

该超低能耗Flash存储器系列还提供一系列丰富的节能特性，包括宽Vcc（1.65V至3.6V）运行以延长电池寿命，100至300nA深度掉电模式可以在产品不使用时节省电能。

出色的擦除时间，加上低功耗高速运行，将大大减少任何系统中消耗的总电能。这使得该系列闪存器件非常适合帮助延长小型电池供电的IoT设备的运行时间。