全新的 i7090 多核并行测试系统。这是一全新的自动测试设备，专门设计用于对多种印刷电路板（PCBA）进行并行测试，可以实现高测试吞吐量，帮助客户加速产品推向市场并降低测试成本。

是德科技是一家领先的技术公司，致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新，创造一个安全互联的世界。

通过集成实时诊断、数字阻抗表和实时负载电流监视器，HFDA801A还可用于安全相关的必须符合ASIL要求的音频应用，例如，电动汽车低速提示音系统 (AVAS)。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    100 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V    

Qg-栅极电荷:    35 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    48 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   55 S  

下降时间:   3.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   5.2 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   21 ns  

典型接通延迟时间:   4.2 ns  

零件号别名:  BSC92NSXT SP000800246 BSC0902NSATMA1  

单位重量:  118.180 mg

高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。

因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET之间的桥梁，用来将开关信号电流和电压放大，同时具备一定的故障隔离能力。

一旦确定了选用某种开关电源方案后，接下来就要选择合适的驱动IC，而选好驱动芯片，就需要硬件工程师对电路特性有一定的了解。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）