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8AWG规格电缆的母型电缆连接器40纳米NVM工艺技术

发布时间:2021/3/24 8:56:40 访问次数:332

LPC55S16 MCU已获得Arm合作开发的PSA认证计划和GlobalPlatform“物联网平台安全评估标准”(SESIP)(使用了为嵌入式处理器定义的安全保护配置框架)的2级认证。

随着物联网和工业边缘应用的快速发展,设备安全性和数据保护正变得愈发重要。

此次获得的两项认证彰显了恩智浦“通过产品设计确保安全”路径的有效性,进一步增强了OEM和消费者对于基于恩智浦器件的边缘设备的信心。

该系列采用40纳米NVM工艺技术、高级安全功能和混合信号功能,确保性能的进一步提高。

使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处,包括:

减小功率级的尺寸和重量

实现更高的功率密度

减小功率电路无源元件的尺寸和成本

实现更高的系统效率

减轻热设计限制,消除或减少散热器的尺寸和成本


BP45F1320内建600mA NMOS,可直驱马达,实现旋转震动等功能。

在封装方面,BP45F1120提供16-pin NSOP/QFN(3mm×3mm),BP45F1320提供16-pin NSOP,BP45F1322提供24-pin SSOP-EP,此系列适合应用于单节锂电池手持产品。

触点的载流能力如此之大,只需更少的触点来传输所需的电流,因而只需占用很少的PCB空间。

配对组件包括一个具备板安装固定件的公型垂直穿板(through-board)连接器,以及一个可容纳8AWG规格电缆的母型电缆连接器。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

LPC55S16 MCU已获得Arm合作开发的PSA认证计划和GlobalPlatform“物联网平台安全评估标准”(SESIP)(使用了为嵌入式处理器定义的安全保护配置框架)的2级认证。

随着物联网和工业边缘应用的快速发展,设备安全性和数据保护正变得愈发重要。

此次获得的两项认证彰显了恩智浦“通过产品设计确保安全”路径的有效性,进一步增强了OEM和消费者对于基于恩智浦器件的边缘设备的信心。

该系列采用40纳米NVM工艺技术、高级安全功能和混合信号功能,确保性能的进一步提高。

使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处,包括:

减小功率级的尺寸和重量

实现更高的功率密度

减小功率电路无源元件的尺寸和成本

实现更高的系统效率

减轻热设计限制,消除或减少散热器的尺寸和成本


BP45F1320内建600mA NMOS,可直驱马达,实现旋转震动等功能。

在封装方面,BP45F1120提供16-pin NSOP/QFN(3mm×3mm),BP45F1320提供16-pin NSOP,BP45F1322提供24-pin SSOP-EP,此系列适合应用于单节锂电池手持产品。

触点的载流能力如此之大,只需更少的触点来传输所需的电流,因而只需占用很少的PCB空间。

配对组件包括一个具备板安装固定件的公型垂直穿板(through-board)连接器,以及一个可容纳8AWG规格电缆的母型电缆连接器。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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