SiC功率MosFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDSon）和优良的开关性能，开关损耗在结温范围内几乎没有变化。ST提供广泛的第二代S MOSFET：额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中，以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用.

BP45F1322内建H-Bridge可直驱最大2.1A直流有刷马达，实现正反转功能，并可由MCU进行电流检测，具备OCP、OSP、OTP等全方位保护功能。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:8位微控制器 -MCU RoHS: 详细信息 系列:STM8L151R8 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-64 核心:STM8 程序存储器大小:64 kB 数据总线宽度:8 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:16 MHz 输入/输出端数量:54 I/O 数据 RAM 大小:4 kB 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:RAM 数据 ROM 大小:2 kB 数据 Rom 类型:EEPROM 接口类型:I2C, SPI, USART 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:28 Channel 计时器/计数器数量:5 Timer 处理器系列:STM8L 产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:960 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.8 V 单位重量:342.700 mg

该基座具有标准NEMA/ANSI路灯接口、通用交流输入范围、用于镇流器控制通信的隔离24V DC输出以及用于客户电路的隔离5V和3.3V DC输出。它还兼容UL773，以简化集成。

平台进一步提高了新的信号系统的可制造性，包括通过新的信号系统设计来提高产品的可制造性；通过重新设计，降低了产品的可制造性。

LUMAWISE Endurance N Enhanced Base非常适用于街道和道路照明控制、商业和校园室外照明管理、智能城市控制网络以及智能电网到智能城市的桥接等应用。