600V MOSFET多25%的电流容量的性能
发布时间:2021/1/20 12:27:54 访问次数:405
WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服务器系统中大电流高频开关电源(SMPS)的关断性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/价比提供性能和效率。
WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的体二极管相比，有更好的性能。新器件的封装有两种：TO-247和TO-220。
新型SMPS NPT IGBT在TO-247封装能处理50A的电流，比同样封装的IR公司的600V MOSFET多25%的电流容量。
制造商:Intel 产品种类:固态硬盘 - SSD RoHS: 系列: 存储容量:1.5 TB 产品:PCIe SSD 外观尺寸:HHHL (CEM3.0) 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 连续写入:2200 MB/s 连续读取:2600 MB/s 代码名称:Mansion Beach 商标:Intel 接口类型:PCIe 产品类型:Solid State Drives - SSD 1 子类别:Memory & Data Storage 商标名: 零件号别名:945763 单位重量:230 g
新型WARP 2 IGBT采用IR的薄硅晶片技术制造，能保证少数载流子的耗尽时间更短，从而加快关断。此外，可以忽略关断尾巴电流，关断开关损耗低或EOFF，使设计者能达到更高的工作频率。
开关性能的改进以及正热系数特性以及更低栅极导通电荷，有更高的电流密度。
在TO-220封装，能处理20A电流，比IR的 600V MOSFET能处理多18%的电流。
和Zarlink公司的MT90880/1/2/3包处理器一起，交换能进入有利可图的TDM接入服务，如T1/E1租用线路，在以太网链接上提供载体级质量。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服务器系统中大电流高频开关电源(SMPS)的关断性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/价比提供性能和效率。
WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的体二极管相比，有更好的性能。新器件的封装有两种：TO-247和TO-220。
新型SMPS NPT IGBT在TO-247封装能处理50A的电流，比同样封装的IR公司的600V MOSFET多25%的电流容量。
制造商:Intel 产品种类:固态硬盘 - SSD RoHS: 系列: 存储容量:1.5 TB 产品:PCIe SSD 外观尺寸:HHHL (CEM3.0) 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 连续写入:2200 MB/s 连续读取:2600 MB/s 代码名称:Mansion Beach 商标:Intel 接口类型:PCIe 产品类型:Solid State Drives - SSD 1 子类别:Memory & Data Storage 商标名: 零件号别名:945763 单位重量:230 g
新型WARP 2 IGBT采用IR的薄硅晶片技术制造，能保证少数载流子的耗尽时间更短，从而加快关断。此外，可以忽略关断尾巴电流，关断开关损耗低或EOFF，使设计者能达到更高的工作频率。
开关性能的改进以及正热系数特性以及更低栅极导通电荷，有更高的电流密度。
在TO-220封装，能处理20A电流，比IR的 600V MOSFET能处理多18%的电流。
和Zarlink公司的MT90880/1/2/3包处理器一起，交换能进入有利可图的TDM接入服务，如T1/E1租用线路，在以太网链接上提供载体级质量。
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